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模拟电子技术 《模拟电子技术》复习资料答案 一、填空题 1. 半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 掺杂性 、热敏性 、光敏性 ；其电阻率分别受 杂 质 、 温度 、 光照 的增加而 下降 。 2. 用于制造半导体器件的材料通常是 硅 、 锗 和砷化镓。 3. 当外界温度、光照等变化时，半导体材料的 导电 能力会发生很大的变化。 4. 纯净的、不含杂质的半导体，称为 本征半导体 。 5. 在N 型半导体中如果掺入足够量的 三 价元素，可将其改型为P 型半导体。 6. 本征半导体中掺入 III 族元素，例如 B 、Al ，得到P 型半导体。 7. 本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，而 少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。 8. 半导体中存在着两种载流子：带正电的 空穴 和带负电的 电子 。 9. N 型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。 10. 杂质半导体分 N 型 （电子） 和 P 型 （空穴） 两大类。 11. N 型半导体多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。P 型半导体多数载流子是 空穴 ， 少数载流子是 电子 。 12. 杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于 掺杂浓度 ，而少数载流子则与 温度 有很大关系。 13. PN 结的主要特性是 单向导电性 。 14. PN 结是多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的 漂移 运动处于动态平衡而形成的，有时又把它称 为 空间电荷区 （势垒区） 或 耗尽区 （阻挡层） 。 15. PN 结加正向电压时，空间电荷区变 窄 ；PN 结加反向电压时，空间电荷区变 宽 。 16. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为 零 。 17. PN 结两端电压变化时，会引起PN 结内电荷的变化，这说明PN 结存在 电容效应 。 18. 二极管是由 一 个PN 结构成，因而它同样具有PN 结的 单向导电 特性。 19. 二极管的伏安特性可用数学式和曲线来描述，其数学式是 I=I (eU/ UT-1) ，其曲线又可分三部分： 正 S 向特性 、 反向特性 、 击穿特性 。 20. 晶体二极管的正向电阻比其反向电阻 小 ，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的 低 ，击 穿区的交流电阻又比正向区的 小 。 21. 有两个晶体二极管 A 管的=200 ，ICEO=200A ；B 管的=50 ，ICEO=10A ，其他参数大致相同，相比 之下 B 管的性能较好。 22. 点接触二极管的主要优点是 结电容 小，多用于 高频检波、小电流整流及小功率开关电路 。 23. 稳压管实质上是一个二极管，它通常工作在 击穿区 ，所以当 反向电压 大于稳定电压 UZ 时， 它才能产生稳压作用。 24. 变容二极管是利用PN 结的 势垒电容 随外加反向电压的变化而变化的特性制成的。 25. 双极型三极管有 两 种极性的载流子参与导电；场效应管有 一 种极性的载流子参与导电。 26. 三极管有两个PN 结，即 发射 结和 集电 结，在放大电路中 发射 结必须正偏， 集电 结必 须反偏。 27. 三极管个电极电流的分配关系是I = IB+IC 。 E 28. 三极管有NPN 型和PNP 型，前者在电路中使用的符号是 ，后者在电路中使用的符号是 。 29. 晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是：发射区需 重 掺杂，基区宽度要 窄 ；外部条件 是：发射结要 正向 偏置，集电结要 反向 偏置。 30. 处于放大状态的三极管I 与I 的关系是I = I ，处于饱和状态的三极管I 不受I 的控制，失去 C B C B C B 了放大作用，处在截止状态的三极管I 0 。 C