模拟电子技术基础简明教程复习资料.pdf
文本预览下载声明
显示全部
文档详情
相似文档
-
模拟电子技术基础复习资料.doc
PAGE
PAGE 6
第 PAGE 6 页 共 NUMPAGES 6 页
模拟电路基础 复习资料
一、填空题
1．在P型半导体中，多数载流子是（ 空隙 ），而少数载流子是（ 自由电子 ）。
2．在N型半导体中，多数载流子是（ 电子 ），而少数载流子是（ 空隙 ）。
3．当PN结反向偏置时，电源的正极应接（ N ）区，电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时，电源的正极应接（ P ）区，电源的负极应接（ N ）区。
5．为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（ 正向 ）偏置，集电结（ 反向 ）偏置。
6．根据理论分析，PN结的伏安特性为,其中被称为（ 反向饱和
-
模拟电子技术基础简明教程.pptx
2.1 放大的概念;2.2 放大电路的主要技术指标;二、最大输出幅度;五、输出电阻 Ro;;2.3 单管共发射极放大电路;2.3.2 单管共发射极放大电路的
工作原理;二、组成放大电路的原则：;四、改进单管共射放大电路; 对放大电路进行定量分析：先静态后动态。
静态分析：分析未加输入信号时的工作状态，估算
电路中各处的直流电压和直流电流。
动态分析：加上交流输入信号时的工作状态，估算
各项动态技术指标。;图 2.4.1(b);2.4.2 静态工作点的近似计算;【例???图示单管
-
模拟电子技术基础简明教程.pptx
第二章放大电路的基本原理添加标题2.1放大的概念添加标题2.3单管共发射极放大电路添加标题2.2放大电路的主要技术指标添加标题2.4放大电路的基本分析方法添加标题2.5工作点的稳定问题添加标题2.6放大电路的三种基本组态添加标题2.7场效应管放大电路添加标题2.8多级放大电路
元件：双极型三极管和场效应管。放大的对象是变化量。小能量对大能量的控制作用称为放大作用。在放大电路中提供一个能源，由能量较小的输入信号控制这个能源，使之输出较大的能量，然后推动负载。本质：实现能量的控制。放大的概念
2.2放大电路的主要技术指标图2.2.1放大电路技术指标测试示意图一、放大倍数正弦测试电压
二、最大输出幅
-
《模拟电子技术基础》复习资料与答案.pdf
模拟电子技术
《模拟电子技术》复习资料答案
一、填空题
1. 半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 掺杂性 、热敏性 、光敏性 ；其电阻率分别受 杂
质 、 温度 、 光照 的增加而 下降 。
2. 用于制造半导体器件的材料通常是 硅 、 锗 和砷化镓。
3. 当外界温度、光照等变化时，半导体材料的 导电 能力会发生很大的变化。
4. 纯净的、不含杂质的半导体，称为 本征半导体 。
5. 在N 型半导体中如果掺入足够量的 三 价元素，可将其改型为P 型半导体。
6. 本征半导体中掺入
-
《模拟电子技术基础》复习资料201512.doc
《模拟电子技术》复习题
填空题
半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 、 、 ；其电阻率分别受 、 、 的增加而 。
用于制造半导体器件的材料通常是 、 和砷化镓。
当外界温度、光照等变化时，半导体材料的 能力会发生很大的变化。
纯净的、不含杂质的半导体，称为 。
在N型半导体中如果掺入足够量的价元素，可将其改型为P型半导体。P型半导体。
杂质半导体分 和 两大类。
N型半导体多数载流子是
-
模电总结复习资料_模拟电子技术基础..doc
第一章 半导体二极管
一.半导体二极管
*单向导电性------正向 ，反向 。（二极管的正向电阻 ，反向电阻 。）
*二极管伏安特性----
*正向导通压降------硅管 V，锗管 V。
*死区电压------硅管 V，锗管 V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);
若 V阳 V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
-
《模拟电子技术基础》复习资料答案20141210.doc
《模拟电子技术》复习资料答案
填空题
半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 掺杂性 、 热敏性 、 光敏性 ；其电阻率分别受 杂质 、 温度 、 光照 的增加而 下降 。
用于制造半导体器件的材料通常是 硅 、 锗 和砷化镓。
当外界温度、光照等变化时，半导体材料的 导电 能力会发生很大的变化。
纯净的、不含杂质的半导体，称为 本征半导体 。
在N型半导体中如果掺入足够量的价元素，可将其改型为P型半导体。P型半导体。
本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越( 多 ，而少数载流子应是(( 空穴 ((，掺杂越多，则
-
《模拟电子技术基础》复习资料201512.doc
《模拟电子技术》复习题
填空题
半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 、 、 ；其电阻率分别受 、 、 的增加而 。
用于制造半导体器件的材料通常是 、 和砷化镓。
当外界温度、光照等变化时，半导体材料的 能力会发生很大的变化。
纯净的、不含杂质的半导体，称为 。
在N型半导体中如果掺入足够量的价元素，可将其改型为P型半导体。P型半导体。
杂质半导体分 和 两大类。
N型半导体多数载流子是 ，少
-
模拟电子技术基础【杨素行】第三版 复习资料.ppt
第4章 功率放大电路 习题4-6，习题4-7 第五章 集成运算放大电路 差分放大输入级 差分放大电路 输入电压 差模输入电压 uId=u+-u- 共模输入电压 uIc=(u++u-)/2 理想运放工作在线性区时的特点 输出电压与其两个输入端的电压之间存在线性放大关系，即 + Aod 理想运放工作在线性区特点： 1. ——“虚短” 图 4.5.1 集成运放的电压和电流 2. ——“虚断” 第六章 放大电路中的反馈 5.1.2 反馈的分类 一、正反馈和负反馈 反馈信号增强了外加输入信号，使放大电路的放大倍数提高 —— 正反馈 反馈信号削弱了外加输入信号，使放大电路的放大倍数降低 —
-
模拟电子技术基础简明教程第三版第二讲-图文.ppt
(二) 图解法 图 2.7.4 用图解法分析共源极放大电路的 Q 点 VDD IDQ UDSQ Q 利用式 uDS = VDD - iDRD 画出直流负载线。 图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。 二、动态分析 iD 的全微分为 上式中定义： —— 场效应管的跨导(毫西门子 mS)。 —— 场效应管漏源之间等效电阻。 1. 微变等效电路 二、动态分析 如果输入正弦信号，则可用相量代替上式中的变量。 成为： 根据上式做等效电路如图所示。 图 2.7.5 场效应管的微变等效电路 + + — — G D S 由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。 微变参数 gm 和 rDS (1)
-
模拟电子技术基础简明教程教本(第三版)答案-.pdf
习题1-1 欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正
向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？
答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理
想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2 假设一个二极管在50℃时的反向电流为10 μA，
试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知
温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：23 10A 1.25A
在80℃时的反向电流约为
-
模拟电子技术复习资料.doc
《模拟电子技术》复习资料
一.选择题
1.1在单级共射极放大电路中，输入电压信号和输出电压信号的相位是 B 。
A.同相 B.反相 C.相差90o
1.2在单相桥式整流（有滤波时）电路中，输出电压的平均值UO与变压器副边电压有效值U2应满足 D 关系。
A.U0=0.45U2 B.U0=1.4U2 C.U0=0.9U2 D.U0=1.2U2
1.3半导体的特性不包括 D 。
A.热敏性 B.光敏性 C.掺杂性 D.遗传性
1.4在分压式偏置放大电路中，除去旁路电容CE，下
-
模拟电子技术期末复习资料.ppt
期 末 复 习 通 知 第十章 直流电源 第十章 直流电源 第十章 直流电源 第十章 直流电源 第十章 直流电源 习题选解 （10.15） 第九章 功率放大电路 第九章 功率放大电路 第九章 功率放大电路 第一章 常用半导体器件 第二章 基本放大电路 第二章 例（2008 级试题） 第二章 例（2008 级试题） 第二章 例（2008 级试题） 第三章 多级放大电路 第三章 多级放大电路 第三章 多级放大电路 第六章 放大电路中的反馈 第六章 放大电路中的反馈 第六章 放大电路中的反馈 第六章 放大电路中的反馈 第六章 例（2007 级试题） 第六章 例（2007 级
-
模拟电子技术复习资料.doc
《模拟电子期末练习题》
《模拟电子技术》试题一
填空题：（每空1分 共40分）
1、PN结正偏时（ 导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（ ）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；
4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。
7、
-
杨素行模电总结复习资料_免费_模拟电子技术基础答案 电子.doc
PAGE 1
第一章 半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度多子浓度决定于杂质