Au纳米粒子修饰Si纳米线.pdf
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Au纳米线阵列修饰电极的制备与水中痕量铅离子的检测的开题报告.docx
Au纳米线阵列修饰电极的制备与水中痕量铅离子的检测的开题报告
一、选题背景和意义
水中痕量铅离子的检测是环保、食品安全、饮用水安全等方面的重要问题。传统的检测方法包括原子吸收光谱和荧光法等，但这些方法存在着灵敏度低、分析时间长等问题。近年来，利用纳米材料修饰电极进行电化学检测的方法受到越来越多的关注。纳米线阵列是一种具有良好电化学性能的材料，因此也被用于电化学传感器的制备。
二、研究内容和目的
本文将以纳米线阵列修饰电极为研究对象，探究其制备方法以及在水中痕量铅离子的检测中的应用。具体内容包括：
1.利用化学方法制备Au纳米线阵列；
2.利用扫描电镜、X射线衍射仪等对制备的Au纳米线阵列进行表
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Au纳米线阵列修饰电极的制备与水中痕量铅离子的检测的中期报告.docx
Au纳米线阵列修饰电极的制备与水中痕量铅离子的检测的中期报告
前言：
本文旨在介绍Au纳米线阵列修饰电极的制备及其在水中痕量铅离子的检测中的应用。本文的研究将主要集中在中期的实验和结果分析上。我们将介绍实验的具体步骤、结果和分析，并探讨未来的研究方向。
实验步骤：
1.制备Au纳米线阵列修饰电极
制备Au纳米线阵列修饰电极的方法主要基于电化学沉积技术。实验中的具体步骤如下：
第一步：清洗电极。在醇洗涤剂中超声清洗电极30分钟，然后用去离子水冲洗。
第二步：电极表面的氧化处理。在0.1MNaOH溶液中电化学氧化电极2分钟，然后将电极置于去离子水中洗涤。
第三步：电极表面的金属沉积。在含有0.5m
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原位电子束辐照诱导Au修饰SiOx纳米线的结构不稳定性研究的中期报告
本项目旨在研究原位电子束辐照对Au修饰SiOx纳米线结构稳定性的影响。在前期研究中，我们首先利用化学气相沉积法成功在SiOx纳米线表面修饰Au纳米颗粒，并通过高分辨透射电镜、X射线衍射和拉曼光谱等手段表征了纳米线的结构和组成。
目前，我们已经进行了原位电子束辐照实验，并初步进行了相应的结构表征。实验中，我们使用电子显微镜对纳米线在电子束辐照过程中的形貌进行了观察，并在高分辨透射电镜下对修饰纳米颗粒的变化进行了详细的研究。结果显示，在电子束辐照过程中，Au修饰纳米颗粒发生了聚集和重构现象，同时还出现了SiOx纳米线的断裂现象。
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纳米线材料的化学修饰与性能优化论文.docx
纳米线材料的化学修饰与性能优化论文
摘要：
随着纳米技术的快速发展，纳米线材料因其独特的物理化学性质在众多领域展现出巨大的应用潜力。化学修饰作为一种有效的方法，能够显著提高纳米线材料的性能，拓宽其应用范围。本文将重点探讨纳米线材料的化学修饰方法及其在性能优化中的应用，旨在为纳米线材料的研究与开发提供理论指导和实践参考。
关键词：纳米线材料；化学修饰；性能优化；应用
一、引言
（一）纳米线材料化学修饰的意义
1.内容一：提高纳米线材料的稳定性
1.1通过化学修饰，可以在纳米线表面形成一层保护膜，有效防止外界环境对纳米线材料的侵蚀，从而提高其稳定性。
1.2化学修饰可以改变纳米线材料的表面性
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纳米线网络.pdf
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114901874 A
(43)申请公布日 2022.08.12
(21)申请号 202080079654.1 (74)专利代理机构 北京鸿元知识产权代理有限
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硅纳米线的合成.ppt
Current Research Control the growth of small diameter Silicon Nanowires Research in thermoelectric performance Application of Silicon Nanowires in FET，Sensors and other electronic devices Synthesis of Silicon Nanowires Group members 陈明霞 崔言明 靳 俊 朱 颜 李子卉 Reporter Group No. 1 Dec.23 2008 Outline
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Au催化GaN纳米线的制备与Mg掺杂研究的开题报告.docx
Au催化GaN纳米线的制备与Mg掺杂研究的开题报告
【摘要】
本文针对Au催化GaN纳米线的制备和Mg掺杂研究，探索制备方法和表征技术，为GaN纳米线的应用研究提供基础。
【关键词】GaN纳米线；Au催化；Mg掺杂；制备；表征
【背景】
GaN纳米线具有优异的光电性能和物理性能，在光电子学、传感器、生物医学等领域有广泛的应用前景。Au催化是制备GaN纳米线的常用方法之一，能够获得高质量的纳米线。同时，掺杂杂质也是改变GaN纳米线电学性能的有效手段，Mg掺杂可以增加载流子浓度和导电性能。因此，本文旨在研究Au催化GaN纳米线制备和Mg掺杂后的电学性能，为GaN纳米线的应用和性能优化提供基础。
【
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水相中Au@Pd核壳结构超长纳米线的制备方法及应用.pdf
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114534721 A
(43)申请公布日 2022.05.27
(21)申请号 202210174105.3 B01J 37/16 (2006.01)
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微生物源模板构建Au纳米线及其活性机制与应用前景探究.docx
微生物源模板构建Au纳米线及其活性机制与应用前景探究
一、引言
1.1研究背景与意义
在纳米材料蓬勃发展的时代，微生物源模板合成Au纳米线作为一种新兴的研究方向，正逐渐崭露头角，成为材料科学领域的研究热点。纳米材料，这一尺度在1-100nm范围内的特殊材料，凭借其小尺寸效应、量子尺寸效应和高比表面积等独特性质，在众多领域展现出了传统材料无法比拟的优势。
纳米材料的研究历程见证了人类对微观世界探索的不断深入。从最初的概念提出到如今的广泛应用，纳米材料的发展经历了多个重要阶段。20世纪80年代，科学家们开始尝试制备和研究纳米材料，逐渐揭示出其独特的物理和化学性质。随着研究的不断
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基于Si纳米线表面SiO2包覆稀土颗粒的上-下转换荧光纳米材料的研究
基于Si纳米线表面SiO2包覆稀土颗粒的上/下转换荧光纳米材料的研究 摘要： 为了探究上/下转换荧光纳米材料的性质和结构，在本研究中，我们使用水解和热解方法制备了基于Si纳米线表面SiO2包覆稀土颗粒的上/下转换荧光纳米材料。通过XRD、TEM、EDX、FTIR等手段对样品进行了表征分析。结果表明，制备的基于Si纳米线表面SiO2包覆稀土颗粒的上/下转换荧光纳米材料粒径大小分布均匀，晶体结构完整，晶面清晰，纳米材料的荧光性能优异，能够同时实现上转换和下转换荧光。具体来说，样品在405 nm激发下，发射出550-700 nm
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Si衬底GaN基纳米线异质结的可控制备与光学性能研究的中期报告.docx
Si衬底GaN基纳米线异质结的可控制备与光学性能研究的中期报告
该研究旨在探索可控制备Si衬底GaN基纳米线异质结的方法及其光学性能特征。在研究的中期阶段，已经完成了以下工作：
1. 利用气相传输法在Si衬底上生长GaN基纳米线，并利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌和晶体结构进行表征。结果显示，纳米线在Si衬底上呈现出典型的棒状形态，且其晶体结构为六方晶系。
2. 利用分子束外延技术制备了GaN基纳米线异质结，并通过透射电镜对其内部结构进行了研究。结果表明，异质结中的界面清晰，且具有较高的结晶质量。
3. 对制备的GaN基纳米线异质结进行了光学性能测试，包括光致发光和激光光谱分析。结果显
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氨化Si基Ga2O3Co薄膜合成GaN纳米线及其表征.pdf
第29卷第2期 半 导 体 学 报 V01．29No．2
2008年2月 JOURNALOFSEMICONDUCTORS Feb．，2008
andCharacterizationofGaN
Nanorods
Synthesis
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纳米线的制备方法.doc
纳米线的制备方法
与零维量子点相比，纳米线具有阵列结构因此有更大的表面或体积比，尤其是他们所具有的直线电子传输特性，十分有利于光能的吸收和光生载流子的快速转移，由此使得这类准一维纳米结构更适宜制作高效率太阳电池（Si纳米线太阳电池）。《TiO2纳米线和ZnO纳米线则主要用于染料敏化太阳电池的光阳极制作》。
Si纳米线的生长方法：
迄今为止，已采用各种方法制备了具有不同直径、长度和形状的高质量的Si纳米线，利用各种表征技术对其结构特征进行了检测分析，就制备方法而言，目前主要有热化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体化学气相沉积、激光烧浊沉积、热蒸发、电子束蒸发（EBE）、溶液法和水热法等；
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醇溶剂法制备银纳米线.docx
题目：醇溶剂法制备银纳米线
摘要
PAGEI
论文题目：醇溶剂法制备银纳米线
摘要
随着银纳米线被广泛的应用在光学、导电、抗菌等领域，人们开始广泛关注它的制备方法。本文采取醇溶剂法来制备银纳米线，选取硝酸银做银源，氯化铜做形核诱导剂，聚乙烯吡咯烷酮（PVP）做银纳米线的生长导向剂及分散剂，乙二醇做还原剂及反应物的溶剂，在高温情况下合成出银纳米线，接着对实验合成的产物，以XRD与SEM这两种检测方法来进行检测。本研究通过改变反应温度和AgNO3的加入速度这两个变量条件，探究不同变量对银纳米线生长的影响情况。研究发现，在其他变量一定的时候，反应温度为170℃，AgNO3的加入速度为0.01
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* 工作小结 1.功能性纳米粒子的制备与分析(一维结构纳米银的分析)； 2.醇热法合成单晶银纳米线及其表征; 3. A simple approach to the synthesis of silver nanowires by hydrothermal process in the presence of gemini surfactant 王建国 1.功能性纳米粒子的制备与分析(一维结构纳米银的合成研究) 图1 高分子-多元醇合成法制备纳米银装置实验图 图2 纳米银合成的操作流程图 图3 (a)纳米银生成机制示意图，(b)合成期间溶液外观变化 (a)中步骤I是180℃温度下利用乙二醇还原