Si衬底GaN基纳米线异质结的可控制备与光学性能研究的中期报告.docx

Si衬底GaN基纳米线异质结的可控制备与光学性能研究的中期报告 该研究旨在探索可控制备Si衬底GaN基纳米线异质结的方法及其光学性能特征。在研究的中期阶段，已经完成了以下工作： 1. 利用气相传输法在Si衬底上生长GaN基纳米线，并利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌和晶体结构进行表征。结果显示，纳米线在Si衬底上呈现出典型的棒状形态，且其晶体结构为六方晶系。 2. 利用分子束外延技术制备了GaN基纳米线异质结，并通过透射电镜对其内部结构进行了研究。结果表明，异质结中的界面清晰，且具有较高的结晶质量。 3. 对制备的GaN基纳米线异质结进行了光学性能测试，包括光致发光和激光光谱分析。结果显示，纳米线异质结的光致发光强度较高且具有良好的发光稳定性，同时其激光光谱也呈现出较强的荧光信号。 基于以上结果，可以初步得出如下结论： 1. 利用气相传输法可实现在Si衬底上控制制备GaN基纳米线结构； 2. 分子束外延技术可用于制备GaN基纳米线异质结，其结晶质量较高； 3. GAN基纳米线异质结具有较高的光学性能，可望应用于光电子学领域。