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《半导体技术导论》见面课答案.docx

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Word文档下载后(可任意编辑) 第 PAGE 1 第 PAGE 1 页 共 NUMPAGES 1 页 智慧树知到《半导体技术导论》见面课答案 智慧树知到《半导体技术导论》见面课答案 见面课:半导体器件制程工艺 1、问题:MBE只能用于III-V族化合物的生长。 选项: A:对 B:错 答案: 【错】 2、问题:提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。 选项: A:对 B:错 答案: 【对】 3、问题:在CMOS工艺中,最为昂贵的步骤是: 〔 〕 选项: A:腐蚀 B:离子注入 C:光刻 D:CVD 答案: 【光刻】 4、问题:光刻技术中的反刻工艺,通常应用于〔 〕的状况。 选项: A:对光刻精度较高 B:光刻图案密度较高 C:光刻的材料易于腐蚀 D:光刻的材料难以腐蚀 答案: 【光刻的材料难以腐蚀】 见面课:半导体器件及材料表征技术 1、问题:通常利用TEM观测的辨别率高于SEM。 选项: A:对 B:错 答案: 【对】 2、问题:TEM观测与SEM相同,对样品厚度没有要求。 选项: A:对 B:错 答案: 【错】 3、问题:AFM通常用来观测样品外表形貌。 选项: A:对 B:错 答案: 【对】 4、问题:XPS只能检测元素种类,无法标定元素含量。 选项: A:对 B:错 答案: 【错】 见面课:半导体器件基本结构 1、问题:异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体互相接触而形成的 选项: A:对 B:错 答案: 【对】 2、问题:光电探测器的灵敏度主要取决于其禁带宽度大小 选项: A:对 B:错 答案: 【错】 3、问题:MOS管是一种电流型半导体器件,BJT是一种电压型半导体器件 选项: A:对 B:错 答案: 【错】 4、问题:所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体 选项: A:对 B:错 答案: 【错】 5、问题:平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的 选项: A:对 B:错 答案: 【对】 6、问题:一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的__到达了14nm量级 选项: A:栅极长度 B:漏极宽度 C:栅极宽度 D:以上都不是 答案: 【栅极宽度】 7、问题:当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时,其_的pn结上的电压方向是反向偏置的 选项: A:集电极到发射极 B:集电极到基极 C:基极到发射极 D:以上都不是 答案: 【集电极到基极】 8、问题:MOSFET开关的基本工作原理是通过_极电压来掌握 _ 极和 __极之间的导电沟道的通断 选项: A:栅、源、漏 B:漏、源、栅 C:源、漏、栅 D:以上都不是 答案: 【栅、源、漏】 9、问题:金属和n型半导体接触,假如fmfs,会形成 肖特基 接触;其中 接触具有整流效应。 选项: A:肖特基、欧姆、欧姆 B:欧姆、肖特基、肖特基 C:欧姆、肖特基、欧姆 D:肖特基、欧姆、肖特基 答案: 【欧姆、肖特基、肖特基】 见面课:半导体物理基本概念 1、问题:AlAs的禁带宽度比GaAs大,晶格常数也更大。保存 选项: A:对 B:错 答案: 【错】 2、问题:半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法 选项: A:对 B:错 答案: 【错】 3、问题:PMOS的基底是p型半导体,所以叫PMOS。 选项: A:对 B:错 答案: 【错】 4、问题:半导体镀膜通常在真空中进行是为了削减杂质沉积的干扰。 选项: A:对 B:错 答案: 【对】 5、问题:硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。 选项: A:对 B:错 答案: 【错】 6、问题:GaAs晶体是_结构 选项: A:金刚石 B:闪锌矿 C:体心 D:面心 答案: 【闪锌矿】 7、问题:有A和B两种单质晶体,我们知道A的晶格常数是5,带隙是1.2eV,B的晶格常数是4,其带隙有可能是_____eV 选项: A:1.4 B:1.0 C:1.2 D:以上都不行能 答案: 【1.4】 8、问题:如下列图所示的能带结构,代表的是___半导体________ EC―――――――― EF ________ EV 选项: A:n型 B:p型 C:本征 D:以上都不是 答案: 【n型】
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