模电课后习题答案.pdf

模电课后习题答案.pdf 习题：一.填空题 1.半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。 2.用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管,用发光材料可制成发光二级管,用PN 结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。 3.在本征半导体中参加5价元素可形成N型半导体,参加3价元素可形成P型半导体。N型半导体中的多子是一自由电子：p型半导体中的多子是空穴。 4.PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电 a0 5.通常情况下硅材料二极管的正向导通由压为0.7v,错材料二极管的正向导通电压为 0.2v« 6..理想二极管正向电阻为_0,反向电阻为,这两种状态相当于一个开关. 7.•晶体管

2025-04-14 约3.25万字 22页立即下载

模电课后（康华光版）习题答案4.doc 第四章部分习题解答 4．1．3 某BJT的极限参数ICM=100mA，PCM=150mW，V（BR）CEO=30V，若它的工作电压VCE=10V，则工作电流IC不得超过多大？若工作电流IC=1mA，则工作电压的极限值应为多少？解: BJT工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏。当工作电压VCE确定时，应根据PCM及ICM确定工作电流IC，即应满足ICVCE≤PCM及IC≤ICM。当VCE=10V时，此值小于ICM=100mA，故此时工作电流不超过15mA即可。同理，当工作电流Ic确定时，应根据ICVCE≤PCM及VCE≤V（BR）CEO确定工作电压VCE的大小。当IC=

2018-09-05 约6.12千字 24页立即下载

模电1-3章课后习题.pdf 填空 1 . 和开路P N 结的结区宽度相比较，当 P N 结加正偏电压时，其结区宽度将变塞；当 P N 结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。 2 . 整流二管的整流作用是利用P N结的单向导电特性，稳压管的稳压作用是利用 P N结的反向击穿特性。 3 . 三管工作在放大状态时，发射结应正偏置，集电结应反偏置。若工作在饱和状态时，发射结应正偏置，集电结应正偏置。若工作

2023-08-12 约2.18万字 33页立即下载

模电课后习题（参考）.doc 模拟电子技术基础第1章常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.

2017-01-08 约4.38万字 109页立即下载

模电课后答案全解.doc 51模电课后答案第二章运算放大器 2.1 集成电路运算放大器 2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。 2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大，直线几乎成垂直直线。非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。 2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增

2017-01-25 约1.28万字 24页立即下载

模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版).pdf 模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)--第1页第1章常用半导体器件 1。1选择合适答案填入空内. (l）在本征半导体中加入（ A )元素可形成N 型半导体,加入（ C ）元素可形成P 型半导体。 A 。五价 B 。四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（A) . A 。增大 B.不变 C.减小

2023-06-01 约3.33万字 20页立即下载

模拟电子技术基本教程 模电课后习题答案.pdf 模拟电子技术基本教程 模电课后习题答案--第1页 课后习题答案 第一章 1-1 二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。 1-7 ① I =14mA ② I =24mA ③ I =17mA Z Z Z 1-13 a b

2023-06-04 约1.82万字 8页立即下载

模电第三版课后习题.doc 第一章习题与思考题 ◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。本题的意图是掌握二极管的单向导电性。 ◇ 习题 1-2假设一个二极管在500C时的反向电流为10μA，试问它在200C和800C时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高100C,反向电流大致增加一倍。解：在20OC时反向电流约为在80OC时反向电流约为本题的意图是通过估算，理解二极管的反向电流将随温度的升高而急剧增大。 ◇ 习题 1-3某二极管的伏安特

2016-12-22 约3.1万字 88页立即下载

模电习题与答案.docx 模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2 第一章绪论、填空题: 自然界的各种物理量必须首先经过传感器将非电量转换为电量，即电信号。 2?信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的频谱。通过傅立叶变换可以实现信号从时域到频域的变换。各种信号各频率分量的振幅随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。各种信号各频率分量的相位随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。周期信号的频谱都由直流分量、基波分量以及无穷多项高次谐波分量组成。在时间上和幅值上均是连续的信号称为模拟信号。在时间上和幅值上均是离散的信号称为数字信号。放大电路分为电压放大电路、电流放大电路、

2024-04-25 约6.74千字 17页立即下载

模电第124601章习题答案.doc 第一章题1－13 （a）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。（b）发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。（c）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。（d）发射结和集电结均正偏，故BJT工作在饱和区。（e）发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。（f）发射结正偏，集电结电压为0，故BJT处于临界饱和状态。（g）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。（h）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。第二章题2－1 判断图中放大电路有无放大作用，说明理由。因为E结反偏，C结正偏，所以无放大作用。应将+VCC改

2017-03-03 约2.61千字 11页立即下载

模电课后答案_第三版.doc 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V 五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 UO＝UCE＝2V。 2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以

2017-08-24 约1.75万字 43页立即下载

模拟电子技术(模电课后习题集含答案解析)(第三版).doc PAGE 第1章常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91

2018-10-21 约7.5千字 20页立即下载

哈工大模电习题册答案.doc 【2-1】填空： 1．本征半导体是，其载流子是和。两种载流子的浓度。 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。 3．漂移电流是在作用下形成的。 4．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。

2017-02-07 约1.58万字 35页立即下载

模电(李国立)12章习题答案.doc 12 信号的运算和处理自我检测题一．选择和填空 1．欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用平方运算电路。 2. 为求得两个信号与的乘积，首先可分别利用对数运算电路求得、的对数、，然后利用加法运算电路求得与之和，最后利用反对数运算电路求得与的乘积。 3．为了抑制50Hz交流电源的干扰，应采用带阻滤波电路。 4．为了处理接收的2.5GHz的通信信号，应采用带通滤波电路。 5. 从输入信号中获得低于500Hz的音频信号，应采用低通滤波电路。 6．从输入信号中抑制1Hz以下的信号，应采用高通滤波电路。 7．通带电压放大倍数等于其输入信号频率f = 0时的电压放大

2017-11-23 约5.09千字 18页立即下载

电气复试模电习题答案.pdf 1.1写出下列正弦波电压信号的表达式（设初始相角为零）： 1峰—峰值20V，频率1kHz； 2均220V，频率50Hz； 3峰—峰值60mV，周期1ms； 4峰—峰值1V，角频率100rad/s。解： 203 (1)v(t)sin(210t+0)V 2 (2)v(t)2202sin(250t+0)V 603 (3)v(t)sin(210t+0)mV 2 1 (4)v(t)sin(100t+0)V 2 1.2题图1.2所示的周期电压信号加在一个电阻R两端。 1T2 (1)试用P(v)dt计算该信号在电阻上消耗的功率P； T0RS (2)分别计算信号的展开式中的直流分量、基波分量及

2025-03-22 约2.42千字 2页立即下载