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基于MoSe2和WSe2场效应晶体管的光电性能调控的研究
摘要：本研究通过基于MoSe2和WSe2双层晶体管结构的光电性能调控的探索，探究了这一新型晶体管的应用前景。本文主要从材料制备、器件性质、电化学特性等角度出发，逐步介绍了研究中发现的一系列规律和现象。首先，作者对制备MoSe2和WSe2单层和双层晶体管的方法进行了详细介绍，并探究了与制备方法相关的影响因素。接着，作者对器件性质进行了研究，发现MoSe2和WSe2双层晶体管的电子迁移率达到了10cm2V-1s-1以上，且响应速度快，提高了整个晶体管的稳定性和可靠性。然后，本文进一步探究了电化学特性，在条件不同的情况下，研究了MoSe2和W
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