工程电磁场导论习重点要点提纲.doc

第一章 1、电荷与电荷之间的作用力是通过电场传递的。 2、电场强度 定义： ①没有电场中某P点，置一带正点的实验电荷q0,电场对他的作用力为F，则电场强度（简称场强）E=limq0→0F/q0 ②电场密度③电位：在静电场中，沿密闭合路径移动的电荷，电场力所作的功恒为零。 3、均匀球面电荷在球内建立的电场恒为零（判断） 4、功只与两端点有关。电场力所作用的功也是与路径无关的。 5、静电场，电场强度的环路积分恒等于零（判断） （非保守场不等于0，保守场（静电场）恒为零，静电场是保守场） 6、等位面和E线是到处正交的。在场图中，相邻两等位面之间的电位差相等，这样才能表示出电场的强弱。等位面越密，外场强越大。 7、静电平衡状态： 第一，导体内的电场为零，E=0。 第二，静电场中导体必为一等位体，导体表面必为等位面。———— 第三，导体表面上的E必定垂直于表面。 第四，导体如带电，则电荷只能分布于其表面（不是分布在内部） 8、静电场中的电介质不是导体也不是完全绝缘介质。 9、电介质对电场的影响可归结为极化后极化电荷或电偶极子在真空中产生的作用。 10、任意闭合曲面S上，电场强度E的面积分等于曲面内的总电荷q=∫v pdv的1/e0(希腊字母)倍（v是s限定的体积） 11、静电场 积分方程：∮S D·ds=∫Vpdv 微分方程：▽﹒D=p ∮l E·dv=0 ▽×E=0 12、D2n-D1n=0 E1t=E2t 称为静电场中分界上的衔接条件。 n垂直 ， t水平 13、电位——的泊松方程：———— 在自由电荷密度——的区域内，——（电位——的拉普拉斯方程）（看空间中有无自由电荷） 14、在场域的边界面S上给定边界条件的方式有以下类型： ①已知场域辩解面S上各点的电位值，即给定————，称为第一类边界条件 ②已知场域边界面S上各点的电位法向导数值，即给定————，称为第二类边界条件。 ③已知场域边界面S上各点电位和电位法向导数的线性组合的值，即给定————，称为第三类边界条件。 15、静电场的唯一性定理表明，凡满足下述条件的电位函数——，是给定静电场的唯一解。 ①在场域U中满足微分方程————（或————）。对于分区的均匀的场域V，应满足每个分场域中的方程。 ②在不同介质的分界面上，符合分界面上的衔接条件。 ③在场域边界面S上，满足给定的边界条件。 表征静电场的一个基本性质等于面内所包围的总自由电荷。 ∮SD·ds=∫Vedv高斯定律的微分形式，电通量密度D的闭合面积。 ∮VE·Dv=0环路特征性表明静电场是一个守恒场（保守场） ▽·D=e高斯的微分表示静电场是有散场 ▽×E=0环路的微分，表明静电场是无旋场 第二章 1、在静电场中，导体内电场强度为零。导体内部也没有电荷的运动。 2、在导电媒质（如导体，电解液等）中，电荷的运动形成的电流为传导电流。在自由空间*如真空等）中，电荷的运动形成的电流为运流电流，没有位移电流。 3、单位时间内通过某一横截面的电荷量，称为电流强度（简称电流） 4、电流面密度：J=Pv(A/m2) P是希腊字母 电荷面密度：I=∫l(K·e n)dl 5欧姆定律的微分形式（重点） 要在导电媒质中维持恒定电流，必须存在一个恒定电场。不是时变的。 电流密度矢量与电场强度矢量一定存在某种函数关系。 欧姆定律的微分形式：J=re(E,J矢量，r常数) 6、焦耳定律的微分形式：P=dp/dv=(d A/dt)/Dv=J·E （W（瓦）是功率的单位） 表示导体内任一点单位体积的功率损耗与该点的电荷密度和电场强度的关系。 7、通过含源导电媒质的电流为：J=r(E+Ee)。E（+→—）、Ee(—→+)方向相反 8、根据电荷守恒定律，由任一闭合面流出的传导电流，应等于流面内自由电荷的减少率。 9、电流联系性方程（积分形式）的一般形式：∮SJ·ds=——=I 10、要确保导电媒质中的电场恒定，任意闭合面内不能有电荷的增减（即————），否则就会导致电场的变化。 11、要在导电媒质中维持一恒定电场，由任一闭合面（净）流出的传导电流应为零。 恒定电场中的传导电流连续性方程：∮SJ·dS=0 12、恒定电场的基本方程（重中之重） 导电媒质（电源外（中积分形式的恒定电场基本方程：∮SJ·dS=0（曲面） ∮lE·dl=0（曲线） 微分形式：▽·J=0 ▽×E=0 他说明电场强度E的旋度等于零，恒定电场仍为一个保守场。 J线是无头无尾的闭合曲线，因此恒定电流只能在闭合电路 电流密度J与电场强度E间的关系为：J=rE