GB/T 6616-2023半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法.pdf
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ICS77.040
CCSH21
中华人 民共和 国国家标准
/ —
GBT6616 2023
代替 / —
GBT6616 2009
半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层
电阻的测试 非接触涡流法
Testmethodforresistivitofsemiconductorwafersandsheetresistanceof
y
—
semiconductorfilms Noncontactedd-currentaue
y g g
2023-08-06发布 2024-03-01实施
国家市场监督管理总局
发 布
国家标准化管理委员会
/ —
GBT6616 2023
前 言
/ — 《 : 》
本文件按照 标准化工作导则 第 部分 标准化文件的结构和起草规则 的规定
GBT1.1 2020 1
起草。
本文件代替 / — 《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》,
GBT6616 2009
/ — , , :
与GBT6616 2009相比 除结构调整和编辑性改动外 主要技术变化如下
) ( , );
更改了范围 见第 章 年版的第 章
a 1 2009 1
) ( , );
更改了干扰因素 见第 章 版的第 章
b 5 2009 5
) ( , );
更改了试验条件 见第 章 年版的
c 6 2009 6.1
) ( 、 、 , );
d 更改了标准片和参考片的要求 见 8.18.28.32009年版的4.2
)
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