半导体载流子迁移率及电阻率的计算模型.pdf

第 卷第 期 内江师范学院学报 31 10 No.10Vol.31 JOURNALOFNEIJIANGNORMALUNIVERSITY · · 43 半导体载流子迁移率及电阻率的计算模型 * , 卫静婷 陈利伟 ( , ) 广东开放大学 广东理工职业学院 广东 广州 510091 : , 摘 要 本文利用计算机求解平衡载流子的电中性条件 获得一般情况下杂质半导体载流子的统计分布 综合 . 、 , 考虑了晶格振动散射 杂质散射和载流子散射对载流子迁移率的影响 建立了一套载流子迁移率和电阻率的计算 , , , 模型 在此基础上 研究了不同的杂质浓度与温度对迁移率和电阻率的影响 模型结果表明 在低温和室温附件 杂 . . , , ; , 质散射是主要散射机制 而在高温区 晶格振动散射是主要机制 电阻率随着杂质浓度的增大基本呈线性减少 而 , 室温下的电阻率随温度升高而增加 在低温和高温区随温度升高而减少. : ; ; 关键词 载流子统计分布 载流子迁移率 电阻率 : / / DOI10.13603 .cnki.51-1621z.2016.10.009 j 中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( ) O471.2 A 1671-1785201610-0043-05 , 半导体的电阻率是半导体材料重要的基本参 的电中性条件 获得载流子在整个温度范围的统计 , 数 它取决于载流子的迁移率和载流子的统计分布 , . 分布的清晰图像 并通过综合考虑多种主要散射机 载流子的迁移率反应了载流子在电场下的输运能 , 制对迁移率的影响 获得与实验数据相符合的载流 , 力 它由载流子受到散射的概率所决定 在一定的温 子迁移率的经验公式 结合载流子迁移率和统计分 .