低频电子电路习题答案及指导.doc

1-8 在题图1-4所示的硅二极管电路中，输入交流信号Vim为5mV，问输出交流电压Vom为多少？设电容C对交流信号的容抗可忽略不计。 【分析思路】 （1）从电路结构出发，在两个电源作用下，电路中每个元器件的电压和电流原则上均包含两部分响应，即不变的直流和变化的交流；（2）具体说来，电容所在支路因电容的存在不可能含直流电流的流动，即电阻上无直流电压降；（3）考虑到交流电压的变化范围较小，由此在各元件上引起的变化电压和电流也不会大，即相对于直流属于小信号。综合起来，该题可以采用在直流工作点下的小信号分析方法。 【解答】（1）在令交流电压源为零条件下，画出原电路的直流通路如图1-8-1（a）所示。 （a）题图1-4在Vim=0时的电路图 （b）直路分析图 （c）二极管分析模型 图1-8-1 题图1-4的直流通路获取 在只提供二极管为“硅管”信息条件下，我们能采用的最精确二极管模型也只有图1-8-1（c）的模型了。据此，得，；管子处于导通状态。 （2）在令原图中直流电压源为零条件下，画出原电路的交流通路如图1-8-2（a）所示，在二极管用小信号电阻替代，容抗为零的电容用短路线替代后得小信号等效图（c）。 （a）令原图直流源为零时的电路 （b）整理后的交流通路 （c）小信号等效图 图1-8-2 题图1-4的交流分析图获取 【结论】 在二极管直流压降，交流压降条件下，可知满足计算前的“小信号分析”假设条件，因此分析合理，即。 1-9 请思考下列说法是否正确：（1）二极管的结电容越大二极管允许的最高工作频率越高；（2）二极管的结电容与外加电压的关系是线性的；（3）二极管的结电容由势垒电容和扩散电容组成；（4）在反偏时主要由扩散电容起作用。 1-10 在某电路保持不变的条件下，温度为20℃时测得二极管的电压VD=0.7V。当温度上升到40℃时，则VD的大小将增加还是减小。 1-11 如何用万用表来判断二极管好坏、极性。 1-12 电路如题图1-5所示，请在选用图1-3-7（b）的二极管模型，以及时，画出电路输入输出电压关系曲线。 题图1-5 1-13 电路如题图1-6所示，已知稳压管VDZ的稳压值VZ＝10V，稳定电流的最大值IZmax?=?20mA，稳定电流的最小值IZmin?= 5mA，负载电阻RL＝2k(。要求当输入电压VI由正常值发生(20%波动时，输出电压基本不变。试求：电阻R和输入电压VI的正常值。 解： 【分析思路】：根据精度选择的不同得到两种结果： 题图1-6 1-14 请从工程实现角度出发，思考代表数字信息1和0的电位要设定为有一定误差的电位范围，而非固定的电位值。 1-15 电路如题图1-7所示，请在输入只能取+5V和0V条件下，给出输入、和输出的关系。 题图1-7 【提示】：（1）在信息处理电路范畴内，该题的二极管模型选取原因与对应《低频电子电路》教材21页对应，即采用直折线电阻近似模型2；（2）做题时采用列表方式给出不同输入与输出的对应结果。 思考与练习2-1 晶体管的基区为什么必须很薄？发射区和集电区有哪些异同点？ 2-2 有一锗晶体管的ICBO=5(A，。试求它的ICEO与值。 【解答】 ， 2-3 请在晶体管输入特性曲线图2-1-6（a）中，标注出截止区、放大区和饱和区的位置。 2-4 锗PNP型晶体管作为放大应用时，其极间电压如何设置？ 2-5 当温度升高时，晶体管参数ICBO、(、IC将如何变化？（提示：根据导电原理和二极管导电特性定性分析） 2-6 问：（1）已知某电路中未损坏晶体管的各端电位如题图2-1（a）（b）所示，请判断该晶体管所处的工作状态；（2）处于放大状态的晶体管各端电位如题图2-1（c）（d）所示，请标明该晶体管各电极名称、晶体管类型和制造晶体管的材料类型。 题图2-1 【解答】（a）根据图可知，晶体管的发射结正偏，集电结反偏，即处于放大状态；（b） （c） 2-7 问：（1）测得一个硅PNP型晶体管的b、c、e三个电极对地电压分别为：，，判断该管工作于什么状态；（2）测得NPN型晶体管的e、b、c三个电极对地电压分别为：，，，判断该管工作于什么状态。 2-8 问：与PNP晶体管发射极电流最大相对应的直流是：0.02V、?0.05V、0.10V、?0.10V？ 2-9 请思考基区调宽效应对晶体管特性有何影响