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基于13.5nm极紫外光源离带辐射及等离子体特性研究.pdf

发布:2024-11-22约9.04万字共46页下载文档
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摘要

高端芯片制造所用的极紫外光刻技术是我国当前面临的最重要“卡脖子”技术,

也是目前实现特征尺寸为7nm及更小节点芯片的最有效手段。极紫外光源是光刻系

统中重要组成部分,高输出功率的极紫外光源是实现芯片大规模量产的前提。此外,

产生光源的同时也会产生其它波段的离带辐射,易对光刻系统中的光学元件造成变形、

损坏等现象,极大地减少了极紫外光刻系统的使用寿命。针对以上问题,本文采用固

体Sn和低密度SnO两种靶材,开展13.5nm极紫外光源离带辐射及等离子体特性研

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