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半导体器件的光电调节器件考核试卷
考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只
有一项是符合题目要求的）
1.半导体材料中，哪一种材料的禁带宽度最大？
A.硅B.锗C.砷化镓D.硒化锌
2.下列哪种现象是PN结的正向偏压特性？
A.随着偏压增加，结电阻减小
B.随着偏压增加，结电阻增大
C.随着偏压增加，电流基本不变
D.随着偏压增加，电流迅速增大
3.光电探测器中，下列哪种探测器对红外光最为敏感？
A.PN结型光电二极管
B.PIN结型光电二极管
C.集成光电池
D.硅控整流器
4.在半导体激光器中，P型半导体和N型半导体接触形成的结构被称为：
A.同质结
B.异质结
C.PIN结
D.沟道结构
5.下列哪种材料常用于制作光敏电阻？
A.硅
B.锗
C.钽
D.铝
6.在光电器件中，下列哪种现象会导致PN结光生电动势？
A.热效应
B.电荷注入
C.量子效应
D.光生伏特效应
7.对于半导体激光器，以下哪项描述是正确的？
A.不会自发发射光子
B.只有在反向偏压下才会发射光子
C.可以在室温下工作
D.必须在液氮温度下才能工作
8.下列哪种器件使用光生伏特效应来检测光强？
A.光敏电阻
B.光电晶体管
C.光电二极管
D.光电池
9.在光电晶体管中，基极和发射极之间的偏压通常为：
A.正向偏压
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B.反向偏压
C.零偏压
D.交变偏压
10.下列哪种材料用于制造高速光电器件？
A.硅
B.砷化镓
C.硒化锌
D.铟镓砷
11.光电二极管在无光照条件下表现为：
A.导通状态
B.截止状态
C.高阻状态
D.上述任意状态
12.用于太阳能电池的半导体材料通常具有：
A.较宽的禁带宽度
B.较窄的禁带宽度
C.高电子迁移率
D.高空穴迁移率
13.在LED中，哪种类型的半导体材料通常被用于发光层？
A.直接带隙
B.间接带隙
C.宽带隙
D.窄带隙
14.对于PIN光电二极管，下列哪项描述是正确的？
A.N型层为光吸收层
B.I型层为光吸收层
C.P型层为光吸收层
D.光吸收层取决于外部偏压
15.光电器件中，量子阱结构主要用于：
A.提高载流子浓度
B.增强光吸收效率
C.降低材料的禁带宽度
D.提高热导率
16.下列哪种现象会导致光电器件的光增益？
A.介质损耗
B.增益介质