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半导体器件的微波功率器件考核试卷--第1页

半导体器件的微波功率器件考核试卷

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.半导体器件中，微波功率器件主要用于（）

A.信号放大

B.信号调制

C.信号解调

D.信号编码

2.微波功率器件中，下列哪种器件的工作频率最高？（）

A.MESFET

B.HEMT

C.MOSFET

D.IGFET

3.以下哪个不属于微波功率器件的特点？（）

A.高频率

B.高功率

C.低噪声

D.高速度

4.微波功率器件中的LDMOSFET与VDMOSFET的主要区别是（）

A.结构不同

B.工艺不同

C.应用领域不同

D.尺寸不同

5.下列哪种器件在微波功率器件中具有最高的热稳定性？（）

A.Si微波功率器件

B.GaAs微波功率器件

C.InP微波功率器件

D.SiC微波功率器件

6.微波功率器件中的PIN二极管主要用于（）

A.信号放大

B.信号调制

C.信号解调

D.信号开关

7.以下哪种器件不属于双极型微波功率器件？（）

A.HBT

B.IGBT

C.MCT

D.HEXFET

8.在微波功率器件中，HEMT的特点是（）

A.高频率

B.高热稳定性

C.高功率容量

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D.所有以上选项

9.下列哪种器件在微波功率器件中具有最低的噪声系数？（）

A.MESFET

B.HEMT

C.MOSFET

D.IGFET

10.微波功率器件中的MOSFET通常采用哪种导电类型？（）

A.n型

B.p型

C.双极型

D.非对称型

11.以下哪个不属于微波功率器件的制造工艺？（）

A.光刻

B.蚀刻

C.化学气相沉积

D.铁电膜生长

12.在微波功率器件中，VDMOSFET的特点是（）

A.高频率

B.高热稳定性

C.高功率容量

D.低噪声

13.下列哪种器件在微波功率器件中具有最高的击穿电压？（）

A.Si微波功率器件

B.GaAs微波功率器件

C.InP微波功率器件

D.SiC微波功率器件

14.微波功率器件中的HEMT通常采用哪种材料作为沟道层？（）

A.Si

B.GaAs

C.InP

D.AlGaN

15.以下哪个不属于微波功率器件的应用领域？（）

A.移动通信

B.卫星通信

C.医疗设备

D.计算机网络

16.下列哪种器件在微波功率器件