GB/T 1551-2021硅单晶电阻率的测定　直排四探针法和直流两探针法.pdf

ICS77.040 CCSH21 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT1551 2021 代替 / — GBT1551 2009 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 Testmethodformeasurin resistivitofmonocrstalsilicon— g y y In-linefour-ointrobeanddirectcurrenttwo-ointrobemethod p p p p 2021-05-21发布 2021-12-01实施 国家市场监督管理总局 发 布 国家标准化管理委员会 / — GBT1551 2021 前 言 / — 《 : 》 本文件按照 标准化工作导则 第 部分 标准化文件的结构和起草规则 的规定 GBT1.1 2020 1 起草。 / — 《 》, / — , 本文件代替 GBT1551 2009硅单晶电阻率测定方法 与 GBT1551 2009相比 除结构调整 , : 和编辑性改动外 主要技术变化如下 ) ( , ); 更改了直排四探针法的适用范围 见第 章 年版的第 章 a 1 2009 1 ) “ ” “ ”( ); 范围 中增加了 硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行 见第 章 b 1 ) / ( ); 增加了规范性引用文件 见第 章 c GBT14264 2 ) “ ”( ); 增加了 术语和定义 见第 章 d 3 )