GB/T 1551-2009硅单晶电阻率测定方法.pdf

犐犆犛２９．０４５ 犎 ８０ 中华人 民共和 国国家 标准 ／ — 犌犅犜１５５１ ２００９ 代替 ／ — 、 ／ — ＧＢＴ１５５１ １９９５ＧＢＴ１５５２ １９９５ 硅单晶电阻率测定方法 犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀 狉犲狊犻狊狋犻狏犻狋狅犳犿狅狀狅犮狉狊狋犪犾狊犻犾犻犮狅狀 犵 狔 狔 ２００９１０３０发布 ２０１００６０１实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 ／ — 犌犅犜１５５１ ２００９ 前 言 　　 本标准修改采用 《硅片电阻率测定四探针法》和 《硅棒电阻 ＳＥＭＩＭＦ８４１１０５ ＳＥＭＩＭＦ３９７１１０６ 　　 率测定两探针法》。 本标准与 和 相比，主要变化如下： ＳＥＭＩＭＦ８４１１０５ ＳＥＭＩＭＦ３９７１１０６ ———中厚度修正系数 （ ／）表格范围增加； Ｆ犠 犛 ———按中文格式分直排四探针法、直流两探针法进行编排。 本标准代替 ／ — 《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和 ／ — 《硅、锗 ＧＢＴ１５５１ １９９５ ＧＢＴ１５５２ １９９５ 单晶电阻率测定直排四探针法》。 本标准与 ／ — 和 ／ — 相比，主要有如下变化： ＧＢＴ１５５１ １９９５ ＧＢＴ１５５２ １９９５ ———删除了锗单晶测定的相关内容； ———用文字描述代替了原标准 ／ — 和 ／ — 中的若干记录测试数据的 ＧＢＴ１５５１ １９９５ ＧＢＴ１５５２ １９９５ 表格； ———修改了直排四探针法中计算公式； ———补充了干扰因素。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研 究所。 本标准主要起草人：李静、何秀坤、张继荣、段曙光。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——— — 、 — 、 — 、 — 、 — ； ＧＢ１５５２ １９７９ＧＢ１５５１