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硅、锗单晶电阻率测定方法修订

方法1：直排四探法

方法2：直流两探针法

送审稿编制说明

一、任务来源及计划要求

根据中色标所字[2006]26号文，关于下达2006-2008年第二批半导体材料国家标准修

订计划的通知精神，对中华人民共和国国家标准GB/T1551-1995《硅、锗单晶电阻率测

定直流两探针法》和GB/T1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法》进行修订，

将这两个标准合并编制为《硅、锗单晶电阻率测定方法方法1：直排四探法方法2：

直流两探针法》。

二、编制过程（包括编制原则、工作分工、征求意见单位、各阶段工作过程等）

本标准以国家标准GB/T1551-1995和GB/T1552-1995为基础，参照国外先进标准SEMI

MF84-1105和SEMIMF397-1106，对原标准进行了补充和修订。

该标准的修订工作组主要由信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技

集团公司第四十六研究所承担。

2006年12月成立了标准修订工作组，在国内广泛调研的基础上，于2007年8月完

成了标准征求意见稿，并对中国有色金属工业标准计量质量研究所、宁波立立电子股份

有限公司、杭州海纳半导体有限公司、有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子股

份有限公司、南京国盛电子有限公司等26家单位函审征求意见。

在2007年9月举办的“半导体材料国行标”的预审会上，该标准征求了宁波立立电

子股份有限公司、有研半导体材料股份有限公司、南京国盛电子有限公司等17家单位的

意见，我们依据参会代表提出的意见对该标准进行了修改。

三、调研和分析工作情况

查阅了国外SEMIMF84-1105和SEMIMF397-1106等相关标准。本标准以国家标准GB/T

1551-1995和GB/T1552-1995为基础，参照国外先进标准SEMIMF84-1105和SEMIMF

397-1106，对原标准进行了补充和修订。

为指导硅、锗材料生产应用单位使用好该标准，对该方法的干扰因素进行了分析，在

编制标准中增加了干扰因素。

对原测试标准中所列举的欧姆接触材料进行实验发现使用不便，经多家单位使用验证

导电橡胶做两探针法端面接触材料方便有效。

四、主要修订点

4.1本标准将GB/T1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和GB/T1552-1995

《硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法》两个标准，合并编制为《硅、锗单晶电阻率测

定方法方法1：直排四探法方法2：直流两探针法》。

4.2本标准去掉了原标准GB/T1551-1995和GB/T1552-1995中的若干记录测试数据的

表格，简化了标准。

4.3本标准参照SEMIMF84-1105《硅片电阻率测定四探针法》修改了方法101中5.2.2条

的计算公式（9）和（10）。

根据测量值计算模拟电路的正向电阻r及反向电阻r

fr：

r=VR/V…………………(9)

fafssf

r=VR/V

rarssr

式中：r模拟电路的正向电阻,；

f

r模拟电路的反向电阻，；

r

R标准电阻阻值，；

s

V正向电流下模拟电路两端的电势差，mV;

af

V反