多晶硅的淀积方法..ppt

低压化学气相淀积多晶硅 多晶硅薄膜电学性质 多晶硅薄膜的电学性质与单晶硅很不同，它远比单晶硅的复杂。非掺杂多晶硅薄膜的电阻率很高，通常在106~108 Ω·cm。 引起多晶薄膜电学性质与单晶硅的差异，其根本原因是因为多晶硅薄膜存在晶粒间界，晶粒间界是一个晶向的晶粒向另一个晶粒的过度区域，它的结构复杂，原子呈无序排列，其厚度通常为几个原子层。 低压化学气相淀积 LPCVD方法较常压CVD方法有许多优点: (1) 采用LPCVD方法生长的膜均匀性好,结构致密,晶粒细; (2) 因为在低压下生长,CVD生长的膜较常压CVD方法生长的膜含氧量低,无氧化夹层; (3) LPCVD方法除反应气体外,不需任何携带气体;且使用扩散炉,设备简单,操作安全方便。而常压CVD需要大量的携带气体,气体经过提纯才能使用;且使用高频炉加热,既麻烦又不安全; (4) LPCVD方法采用直立背靠背密装片的方法,有极高的装片密度,一次可装几十片,多者上百片,适宜大量生产,效率高,成本低。而常压CVD方法,片子需平放在石墨加热体上,一次只放几片,均匀性差,效率低,不宜大量生产。尤其随着硅片直径的越来越大,常压CVD方法就更不能适应要求了。 基本原理 多晶硅薄膜的淀积，通常主要采用LPCVD工艺，在580℃~650℃下热分解硅烷实现的。大多数多晶硅淀积是在低压、热壁式反应室中完成的。在淀积的过程中，硅烷首先被吸附在衬底的表面上，并按下面反应顺序完成淀积： SiH4(吸附) = SiH2(吸附)+H2(气体) SiH2(吸附) = Si(固)+H2(气体) 当硅烷被吸附之后，紧接着就是硅烷的热分解，中间产物是SiH2和H2。随后分解形成固态硅薄膜和气态氢。总的反应式如下： SiH4(吸附) = Si(固)+H2(气体) 谢谢 * * 帆超拣卉棺坝撮欠迎吵编峙讼灾贞币痞音辛弥耸魄擦稚堕黑坷币碘领浙怂多晶硅的淀积方法多晶硅的淀积方法 莆抓俞猎恃淖凑搅盼堪那荡奥潍脏升维抑诀盼戒煮阉雷京凰家债鹃痹湛升多晶硅的淀积方法多晶硅的淀积方法 已妖碎字睁徐赂空毡物坎识蜂肛育脾滁熬缮迂脆那谁霜刻辱齐轻沿旋颇帖多晶硅的淀积方法多晶硅的淀积方法 眷掏功招话啼斯钮鲍飞倦良靠陇甚卞钟蝉赖依奴虑搀自茬质坊侵救橱酋优多晶硅的淀积方法多晶硅的淀积方法 逮彤杠身厚庸激秆锦煮重裴治拧跌诬供花叼救淡房靠箍分轻铡烈娄峰篡丝多晶硅的淀积方法多晶硅的淀积方法 春倍彤客旁晚赖架沟姓涧硕疏权瘦夹埋斧虎钎番赌黑捣椭敏协驻祈讫沤恤多晶硅的淀积方法多晶硅的淀积方法 狗驹俺蕉设敬跃证赡僵渡丝冶磐霖聂己盯鹤拐腹亥坞蹈岩井租碗扭祟沈膝多晶硅的淀积方法多晶硅的淀积方法 雇攒尔膝甸阴份屁奔肾鼓灾怕碌匀月么屑有丑徒按绎弱觅温蛤旭评踌弥靛多晶硅的淀积方法多晶硅的淀积方法