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808nm大功率分布反馈半导体激光器：从原理到实践的深度剖析.docx

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808nm大功率分布反馈半导体激光器：从原理到实践的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在光电子领域，808nm大功率分布反馈半导体激光器凭借其独特优势，占据着极为重要的地位。半导体激光器自诞生以来，以其体积小、重量轻、电光转换效率高、可靠性强、寿命长及成本低等显著优点，迅速在众多领域得到广泛应用，而808nm波长的半导体激光器更是其中的佼佼者。

从发展历程来看，早在1963年就有人提出用波长在800-900nm之间的半导体激光发射器件作为固体激光器介质泵浦源的设想。到了八十年代，随着高功率激光二极管及其列阵的发展，特别是MBE（分子束外延）、MOCVD（金属有机

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