存储器实验实验报告1.doc

存储器实验课程：：实验名称：日期：一、实验目的 了解地址寄存器（AR）中地址的读入 了解STOP和STEP开关的状态设置 了解向存储器RAM中存入数据的方法 了解从存储器RAM中读出数据的 二、实验1、TDN－CM＋组成原理实验仪一台 2、导线若干 3、静态存储器：一片6116（2K*8）芯片 地址锁存器（74LS273） 地址灯AD0－AD7 三态门（74LS245） 三、实验原理 实验所用的半导体静态存储器电路原理如图所示， 实验中的静态存储器由一片6116（2K*8）芯片构成，其数据 线接至数据总线，地址线由地址锁存器（74LS273）给出。 地址灯AD0－AD7与地址线相连，显示地址线状况。数据开关 经一个三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和 数据。 实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插孔 中，在时序电路模块中有两个二进制开关“STOP”和“STEP”，将 “STOP”开关置为“RUN”状态、“STEP”开关置为“EXEC”状态时，按 动微动开关START，则TS3端输出连续的方波信号当“STOP”开 关置为RUN状态，“STEP”开关置为“STEP”状态时，每按动一次 微动开关“start”，则TS3输出一个单脉冲，脉冲宽度与连续 方式相同。 四、实验内容 如下图 存储器实验接线图 （一） 练习使用STEP开关 往地址寄存器（AR）中存入地址 设置STOP和STEP开关的状态： 从数据开关送地址给总线：SW-B=___ 打开AR，关闭存储器：LDAR=___、CE=___ 按下Start产生T3脉冲 关闭AR，关闭数据开关：LDAR=__、SW-B=__ （二） 往存储器RAM中存入数据 设定好要访问的存储器单元地址 从数据开关送数给总线：SW-B=___ 选择存储器片选信号：CE=___ 选择读或写：WE=____ 按下Start产生T3脉冲 关闭存储器片选信号：CE=___ 关闭数据开关： SW-B=___ （三） 从存储器RAM中读出数据 设定好要访问的存储器单元地址 选择存储器片选信号：CE=___ 选择读或写：WE=____ 按下Start产生T3脉冲 关闭存储器片选信号：CE=___ 地址 存入 读出 00 10 01 11 02 12 03 13 04 14 05 15 06 16 五、实验结果总结 六、思考题 在进行存储器操作（写/读）是不是必须先往地址寄存器（AR）存入所访问的存储器单元地址？ T3在本实验中起了哪些作用，如何区分它们？ 在进行存储器读写操作时，CE和WE信号有没有先后顺序？为什么？ 存储器 第 1 页 共 5 页