片上集成高偏振、多光谱量子阱红外探测器的关键技术与应用突破.docx
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一、引言
1.1研究背景与意义
在红外探测领域,量子阱红外探测器(QuantumWellInfraredPhotodetector,QWIP)凭借其独特的优势占据着重要地位。自20世纪80年代美国贝尔实验室的B.F.Levine等人首次报道应用GaAs/AlGaAs量子阱材料制备的红外探测器以来,QWIP便引发了广泛的研究热潮,并在近几十年取得了长足的发展。
QWIP使用带隙比较宽(GaAs为1.43eV)的Ⅲ-Ⅴ族材料,主要有光导型量子阱材料(GaAs/AlGaAs)和光伏型量子阱材料(InAs/InGaSb、InAs/InAsSb)两种类型。与
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