微电子学概论复提要.docx
文本预览下载声明
显示全部
文档详情
相似文档
-
微电子学概论 9.ppt
微电子学概论 第二章 2.4双极型三极管 1. 晶体管的结构和类型 有NPN和PNP两种结构类型。核心部分都是两个PN结。 1. 晶体管的结构和类型 1. 晶体管的结构和类型 PNP型 1. 晶体管的结构和类型 NPN型 1. 晶体管的结构和类型 三极管在结构上的两个特点： (1)掺杂浓度：发射区集电区基区； (2)基区必须很薄。 2. 晶体管的电流分配关系和放大作用 内部条件 外部条件 发射结正偏，集电结反偏。 电路接法：共基接法。 2. 晶体管的电流分配关系和放大作用 共射接法。 ⑴ 晶体管内部载流子的运动 发射区向基区注入电子的过程 电子在基区
-
《微电子学概论》Cha》课件.ppt
**********************微电子学概论微电子学是研究电子器件和集成电路的科学和技术。它是现代电子技术的基础，应用范围广泛，包括计算机、通信、医疗、消费电子等领域。微电子学的历史发展1晶体管时代1947年，贝尔实验室发明了晶体管。2集成电路时代1958年，德州仪器公司发明了集成电路。3微处理器时代1971年，英特尔公司推出了第一个微处理器。微电子学的发展经历了三个重要阶段：晶体管时代、集成电路时代和微处理器时代。这些突破性的发明推动了电子技术的发展，为现代信息社会的形成奠定了基础。微电子器件的基本原理11.能量带理论描述了固体材料中电子能量的分布情况，是理解半导体材料特性的基础
-
《微电子学概论》--Chap08.ppt
微机电系统 Micro-Electro-Mechanical Systems 引 言 信息系统微型化 系统体积大大减小 性能、可靠性大幅度上升 功耗和价格大幅度降低 信息系统的目标：微型化和集成化 微电子解决电子系统的微型化 非电子系统成为整个系统进一步缩小的关键 微机电系统/微电子机械系统 Micro-Electro-Mechanical Systems 微机械：Micro-machine 微系统：Micro-System MEMS技术 从广义上讲，MEMS是指集微型传感器、微型执行器、信号处理和控制电路、接口电路、通信系统以及电源于
-
微电子学概论复习文档.doc
绪论
画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
集成电路分类情况如何？
微电子学的特点是什么？
微电子学：电子学的一门分支学科
微电子学以实现电路和系统的集成为目的，故实用性极强。
微电子学中的空间尺度通常是以微米(?m, 1?m＝10－6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。
微电子学是信息领域的重要基础学科
微电子学是一门综合性很强的边缘学科
涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科
微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向
微电子
-
微电子学概论--Chap10.ppt
作业 1、MEMS工艺与微电 子工艺技术有哪些区别。 2、列举几种你所知道的MEMS器件，并简述其用途。 加速度计 压阻式加速度计 电容式加速度计 压电式加速度计 惯性器件 惯性器件 电容式微加速度计 光学MEMS器件 定义 Optical Transducers，MOEMS, Optical MEMS 分类 传统的光传感器、转换器 光传感、成像、发光器件（光电子） 利用光进行传感的器件 位置传感器、光谱仪、DNA芯片 利用微机械加工方法形成的器件 传统器件的新生命 新型器件 传统的光传感器 光传感方式 成像系统(Imager) CCD CMOS 发光系统 LED 半导体激光器 等离子 生物
-
微电子学概论复习整理.doc
集成电路（IC）：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能
IC按器件结构类型分类：双极集成电路：主要由双极晶体管构成（NPN型双极集成电路、PNP型双极集成电路）优：速度高、驱动能力强 缺：功耗大、集成度相对较低 金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路：主要由MOS晶体管构成（NMOS、PMOS、CMOS(互补MOS)）优：输入阻抗高、抗干扰能力强、功耗小、集成度高 双极-MOS(BiMOS)集成电路：同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为BiMOS集成电路，综合了双
-
北大-微电子学概论Chap02.ppt
重 点 半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子 能带、导带、价带、禁带 掺杂、施主、受主 输运、漂移、扩散、产生、复合 作 业 载流子的输运有哪些模式，对这些输运模式进行简单的描述 设计一个实验：首先将一块本征半导体变成N型半导体，然后再设法使它变成P型半导体。 半导体器件物理基础 北京大学 费米能级EF：反映了电子的填充水平某一个能级被电子占据的几率为： E=EF时，能级被占据的几率为1/2 本征费米能级位于禁带中央 作业 描述二极管的工作机理 讨论PMOS晶体管的工作原理 一
-
微电子学概论复习课件.ppt
微电子学概论：期末总结 微电子学概论 2011年 春季 微电子学概论：期末总结 期 末 总 结 微电子学概论：期末总结 课程简介 教学目标 深入理解什么是微电子学 基本了解微电子学的发展历史 初步掌握微电子学的基础理论 半导体物理与器件物理基础 集成电路工艺 集成电路设计 集成电路EDA方法 MEMS技术等新技术的基本概念 微电子学概论：期末总结 课程简介 主要内容 微电子技术简介 半导体物理和器件物理基础 大规模集成电路基础 集成电路制造工艺 集成电路设计 集成电路设计的EDA系统 系统芯片（SoC）设计 微机电系统和几类重要的特种微电子器件 微电子技术发展的规律和趋势
-
微电子学概论教案.doc
微电子学概论
目 录
前 言 1
第一章 绪 论 2
1.1 什么是微电子学 2
1.2 微电子科学技术的战略地位 2
1.3 微电子科学技术的发展历史 6
1.4 集成电路的分类 8
1.5 微电子学的特点 10
第二章 半导体物理和器件物理基础 12
2.1半导体及其基本特性 12
2.3 PN结 18
2.4双极晶体管 22
2.5 MOS场效应晶体管 28
第三章 大规模集成电路基础 35
3.1 半导体集成电路概述 35
3.2 双极集成电路基础 36
3.3 MOS集成电路基础 37
第四章 集成电路制造工艺 44
4.1 双极集成电路工艺流程 44
4.2 MOS
-
微电子学概论期末论文.doc
学号：110132208 姓名：迟延龙
半导体材料的发展现状与趋势
摘 要 在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg2.3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。本文介绍了三代半导体的性质比较、应用领域、国内外产业化现状和进展情况等。
关键词 半导体材料;多晶硅;单晶硅;砷化镓;氮化镓
1 前言
半导体材料是指电阻率在107Ω·cm~10-3Ω·cm，界于金属和绝缘体之间的材料。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料[1]，支撑着通信、计算机、
-
微电子学概论Chap021.ppt
-
2014微电子学概论第1课.pptx
微电子学概论;课程安排;提纲;提纲;什么是微电子？（第一印象）;什么是微电子？（深深的沉思中）;电子学的基本元件;电子学系统的基础元件;电子管时代的电子产品;现代微电子产品;;什么是微电子学？（第一次定义）;微电子学的基础;微电子学的基本原理;信息的表现形式;信息处理的技术基础;微电子学系统如何处理信息;微电子学为代表的第三次技术革命;第三大资源;什么是微电子学？（再定义）;提纲;第一个晶体管;第一块集成电路;为什么集成电路如此重要？;第一块平面集成电路;第一块CPU;半导体工业的发端;集成电路发展史上的几个里程碑;当前微电子技术的发展热点;提纲;微电子学研究的内容;微电子学的金字塔结构;微电
-
《微电子学概论》--Chap09.ppt
第九章 微电子技术发展的 规律及趋势 Moore定律 Moore定律 1965年Intel公司的创始人之一Gordon E. Moore预言集成电路产业的发展规律 集成电路的集成度每三年增长四倍， 特征尺寸每三年缩小 倍 Moore定律 ?? 性能价格比 在过去的20年中，改进了1,000,000倍 在今后的20年中，还将改进1,000,000倍 很可能还将持续 40年 按比例缩小(Scaling-down)定律 按比例缩小(Scaling-down)定律 1974年由Dennard 基本指导思想是：保持MOS器件内部电场不变：恒定电场规律，简称CE律 按比例缩小器件的纵向
-
whut微电子学概论复习题及答案.doc
绪论
1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2.集成电路分类情况如何？
答：
3.微电子学的特点是什么？
答：微电子学：电子学的一门分支学科
微电子学以实现电路和系统的集成为目的，故实用性极强。
微电子学中的空间尺度通常是以微米((m, 1(m＝10－6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。
微电子学是信息领域的重要基础学科
涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科
微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向
微电子学的渗透性极
-
[2017年整理]《微电子学概论》--Chap04.ppt
第 四 章 集成电路制造工艺 集成电路设计与制造的主要流程框架 直拉单晶硅 集成电路芯片的显微照片 4.1 集成电路制造工艺 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 制膜：制作各种材料的薄膜 一、图形转换：光刻 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。光刻胶是对光、电子束或者x线等敏感，具有在显影液中溶解性变化的性质，同时具有耐腐蚀性的材料。光刻胶有正型和负型两种。正型光刻胶受紫外线照射，其感光的部分发生光分