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新型阻变存储器测试激励信号：分析、生成与应用
一、引言
1.1研究背景与意义
在信息技术飞速发展的当下，数据量呈爆发式增长，对数据存储技术提出了前所未有的挑战与要求。新型阻变存储器作为极具潜力的存储技术，正逐渐成为学术界和产业界的研究焦点。
阻变存储器（RRAM）是一种基于电阻转变现象的非易失性存储器件，其基本结构通常为金属-绝缘层-金属（MIM）结构，中间的绝缘层为阻变材料。通过施加适当的电压，阻变材料的电阻状态会在高阻态（HRS）和低阻态（LRS）之间发生可逆转变，从而实现数据的存储，电阻状态的不同可以分别表示二进制数据中的“0”和“1”。这种独特的存储原理使得阻变存储器
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