基于IV特性的阻变存储器的阻变机制研究.pdf

Nanoelectronic Device T echnology 基于IV 特性的阻变存储器的阻变机制研究 1, 2 1 1 1, 3 1 李颖弢 , 刘 明 , 龙世兵, 刘 琦 , 张 森 , 1, 2 1 1 1 2 王 艳 , 左青云 , 王 琴 , 胡 媛 , 刘 肃 ( 1. 中国科学院 微电子研究所 米加工与新器件集成技术实验室, 北京 10 0029 ; 2. 兰州大学 物理科学与技术学院 微电子研究所, 兰州 730 000; 3. 安徽大学 电子科学与技术学院, 合肥 230 039) : 随着器件尺寸的缩小, 阻变存储器 ( RRAM) 具有取代现有主流Flash 存储器成为下 一代 新型存储器的潜力但对RRAM 器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧, 直接 制约了RRAM 的研发与应用通过介绍阻变存储器的基本工作原理不同的阻变机制以及基于 阻变存储器所表现出的不同IV 特性, 研究了器件的阻变特性; 详细分析了阻变存储器的五种阻 变物理机制, 即导电细丝 (filament) 空间电荷限制电流效应 ( CLC) 缺陷能级的电荷俘获和 释放肖特基发射效应 ( chottky emission) 以及普尔- 法兰克效应 ( PoolFrenkel) ; 同时, 对 RRAM 器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望 : 阻变存储器; 非挥发性存储器; IV 特性; 阻变机制; 工作原理 : TN304. 21; TP333. 8 : A : 1671-4776 ( 2009) 03-0134-07 Resistive Switching Mechanisms for Nonvolatile Resistive Random Access Memory Based on IV Characteristic 1, 2 1 1 1, 3 1 Li Yingtao , Liu Ming , Long hibing , Liu Qi , Zhang en , 1, 2 1 1 1 2 Wang Yan , Zuo Qingyun , Wang Qin , Hu Yuan , Liu u (1. Laboratory of NanoFabrication and Novel Devices Integrated Technology , Instituteof Microelectronics, ChineseA cade y of Sciences, Beij ing 10 002 9, China; 2. I nstituteof Microelectronics, School of Physical Scienceand Technology , Lanz hou University , Lanz hou 73 000 0, China; 3. School of Electronic Science and Technology, Anhui University , H ef ei 23 0039, China) Abstract: With the conventional m