第14章集成电路版图设计PPT课件.pptx

第十四章版图设计

北京大学

2025/5/21

Library:acafCel1:OUTZT_23(.vp5)

SelectVerifyUtilityAdvanceHelp

PWELL

ALU

LX7

TPDIFF

INDIFF

CONT

RESUELF

RESDIFF

CAP

DIODE

text20

VAPOX

SUBSTRATE

PPRECH

NPRECH

CmdDeleteL:select

Selectobjects.

物

K:R:stroke

Select:0+0

日

围

合

■

X:1084.000Y:417.500

dx:1084.000dY:417.500

DesignWindowCreateEdit

IN

1复

2025/5/21

大

北

学

京

微电子工艺流程简介

主要介绍N阱CMOS工艺流程，用到的wafer

是p型衬底，要用nWELL来构建p沟器件，而n型MOS管就构建在p衬底上。

北京大学

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·第一张mask定义为n-wellmask

离子注入：制造nwell。

北京才学

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分

·第二张mask定义为activemask。

有源区用来定义管子的栅以及允许注入的p型或者n型扩散的源漏区。

七系大学

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n-well

·第三张mask为polymask:

包含了多晶硅栅以及需要腐蚀成的形状。

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Poly-siliconmask

·第四张mask定义为n+mask,

用来定义需要注入n+的区域。

LightimplantHeavyimplant

Polyoxide

f-1l-n+f1-a-tI十

Shallowdrainimplant

LDDstructure

P-substrate

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乐于

P-substrate

n-well

·第五张mask是p+mask。

p+在Nwell中用来定义PMOS管。

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—p+mask

·第六张mask就是定义接触孔。

腐蚀SiO2到需要接触的层的表面。其次要能够使金属接触到扩散区