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新型n型ITZO与p型Cu2O薄膜晶体管的制备工艺与性能优化研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今数字化时代，电子技术的迅猛发展深刻改变了人们的生活方式，从日常使用的电子设备到先进的医疗、通信系统，各类电子产品无处不在。而薄膜晶体管（Thin-FilmTransistor，TFT）作为现代电子领域的核心元件之一，在众多电子设备中发挥着至关重要的作用，被誉为当代电子世界的“心脏”。
薄膜晶体管是一种以沉积形成的半导体、金属和绝缘体薄膜组成的场效应器件，其工作原理是通过电场来控制半导体薄膜中的电子流动。主要由源极、漏极、栅极和半导体薄膜四个部分构成，当在栅极上加电压时，会在半导体薄膜表
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