结型场效应管模拟电子技术陈志红87课件.pptx

模拟电子技术结型场效应管主讲人：陈志红

课程导入场效应管：一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管，又称单极型三极管N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)分类：

结型场效应管结构DSGN符号:箭头方向表示栅结正向偏置时，栅极电流的方向由P指向NN沟道结型场效应管结构图N型沟道N型硅棒栅极源极漏极P+P+P型区耗尽层(PN结)在漏极和源极之间加上一个正向电压，N型半导体中多数载流子电子可以导电。导电沟道是N型的，称N沟道结型场效应管。导电沟道

结型场效应管结构P沟道场效应管P沟道结型场效应管结构图N+N+P型沟道GSDP沟道场效应管是在P型硅棒的两侧做成高掺杂的N型区(N+)，导电沟道为P型，多数载流子为空穴符号GDS

结型场效应管工作原理1.当UDS=0时，uGS对导电沟道的控制作用ID=0GDSN型沟道P+P+(a)UGS=0UGS=0时，耗尽层比较窄，导电沟比较宽UGS由零逐渐减小，耗尽层逐渐加宽，导电沟相应变窄。当UGS=UGS（Off)，耗尽层合拢，导电沟被夹断,漏源极间的电阻将趋于无穷大。ID=0GDSP+P+N型沟道(b)UGS(off)UGS0VGGID=0GDSP+P+(c)UGS＜UGS(off)VGGUGS(off)为夹断电压，为负值。UGS(off)也可用UP表示

结型场效应管工作原理2.uDS对漏极电流iD的影响GDSP+NiSiDP+P+VDSVGSGDSNiSiDP+P+VDSGDSP+NiSiDP+P+VDSVGSGDSiSiDP+VDSVGSP+P+当UPUGS≤0且UDS0时，可产生漏极电流ID。ID的大小将随栅源电压UGS的变化而变化，从而实现电压对漏极电流的控制作用。

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