康华光-电子技术基础(第六版)模拟部分ch04.ppt

华中科技大学张林

电子技术根底模拟局部

1绪论

2运算放大器

3二极管及其根本电路

4场效应三极管及其放大电路

5双极结型三极管及其放大电路

6频率响应

7模拟集成电路

8反响放大电路

9功率放大电路

10信号处理与信号产生电路

11直流稳压电源

2华中科技大学张林

4场效应三极管及放大电路

4.1金属-氧化物-半导体〔MOS〕场效应三极管

4.2MOSFET根本共源极放大电路

4.3图解分析法

4.4小信号模型分析法

4.5共漏极和共栅极放大电路

4.6集成电路单级MOSFET放大电路

4.7多级放大电路

4.8结型场效应管〔JFET〕及其放大电路

*4.9砷化镓金属-半导体场效应管

4.10各种FET的特性及使用本卷须知

3华中科技大学张林

场效应管的分类：

N沟道

增强型

MOSFETP沟道

(IGFET)N沟道

FET绝缘栅型耗尽型

场效应管P沟道

JFETN沟道

〔耗尽型〕

结型P沟道

耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在

增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道

4华中科技大学张林

4.1金属-氧化物-半导体〔MOS〕

场效应三极管

4.1.1N沟道增强型MOSFET

4.1.2N沟道耗尽型MOSFET

4.1.3P沟道MOSFET

4.1.4沟道长度调制等几种效应

4.1.5MOSFET的主要参数

5华中科技大学张林

4.1.1N沟道增强型MOSFET

1.结构

L：沟道长度W：沟道宽度tox：绝缘层厚度

通常WL

绝缘体

二氧化硅绝缘层

沟道栅极g

（SiO2）

铝电极

（Al）

N＋

tox

LN＋

P型衬底

源极s

漏极dW

6华中科技大学张林

4.1.1N沟道增强型MOSFET

1.结构

源极s栅极g漏极d

铝

铝绝缘层铝d

SiO2

＋＋衬底

NNg

B

耗尽层P型硅衬底

s

B衬底引线

剖面图符号

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