基础物理学-光的干涉.pptx

第十章;普通光源发光特点：独立性和间歇性。;相干光产生;;第5页;;减弱;;一定时，若改变，则将怎样改变？;b）条纹间距与关系怎样？;中央：白光;;双镜;例10-1-1用很薄云母片（n=1.58）覆盖在双缝试验装置一条缝上，观察到干涉条纹移动了9个条纹距离。已知光源波长为550.0nm。试求该云母厚度。;例以单色光照射到相距为0.2mm双缝上,双缝与屏幕垂直距离为1m.;;研究干涉方法：;白光下肥皂膜;;;;增透膜-----

利用薄膜上、下表面反射光光程差符合相消干涉条件来降低反射，从而使透射增强。（比如：摄影机镜头上一层蓝紫色膜）;增反膜-----

利用薄膜上、下表面反射光光程差满足相长干涉，所以反射光因干涉而加强。（又称高反膜）;氟化镁为增透膜;二等厚干涉（厚度相同点形成同一级干涉条纹）;垂直入射i=0;;;4）条纹间距（明纹或暗纹）;;;例10-2-2在制造半导体元件时，经常要在硅片上生成一层很薄二氧化硅膜。要测量这薄膜厚度，可将二氧化硅薄膜除去一部分，使它形成劈尖，已知二氧化硅折射率为1.46，硅折射率为3.42.用波长为589.0nm钠黄光垂直入射，可看见7条暗条纹，且二氧化硅劈尖最右端恰为一暗条纹，求二氧化硅膜厚度。;;牛顿环试验装置;;暗环半径;;例10-2-1在牛顿环试验中，平凸透镜曲率半径R=10m，测得k级暗条纹半径rk和第k+5级暗条纹半径rk+5分别是4mm和6mm，求所用光波长。;例10-2-2在制造半导体元件时，经常要在硅片上生成一层很薄二氧化硅膜。要测量这薄膜厚度，可将二氧化硅薄膜除去一部分，使它形成劈尖，已知二氧化硅折射率为1.46，硅折射率为3.42.用波长为589.0nm钠黄光垂直入射，可看见7条暗条纹，且二氧化硅劈尖最右端恰为一暗条纹，求二氧化硅膜厚度。