SiC MOSFET 非钳位电感开关（UIS）测试方法.pdf

T/CASAS038—202X（征求意见稿）

SiCMOSFET非钳位电感开关（UIS）测试方法

1范围

本文件规定了SiCMOSFET非钳位电感开关（UIS）的测试方法，包括单脉冲雪崩击穿能量（EAS）和

重复雪崩击穿能量（EAR）的测试原理、测试流程、数据记录和处理等内容。

本文件适用于SiCMOSFET分立器件在FT（FinalTest）、CP（ChipProbe）、KGD（KnownGoodDie）、

实验室研发等阶段的UIS测试。对于SiCMOSFET功率模块，可在将单管封装成模块前参照本文件对单管

进行测试。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

非钳位电感开关unclampedinductiveswitching；UIS

存储在感性负载的电感中的能量驱动未经电压钳位的器件的过程，可表征器件在雪崩模式下的能

量承受能力，包括单脉冲雪崩击穿能量、重复雪崩击穿能量等指标。

单脉冲雪崩击穿能量energyinavalanche,singlepulse；EAS

单次雪崩状态下器件能够消耗的能量。

注：对单脉冲雪崩击穿能量的测试通常在器件量产过程中进行，其目的是在器件的产品手册或产品详细规范等文件

中规定的雪崩击穿电流条件下，对器件能否承受住雪崩击穿能量而不损坏进行验证。其基本原理是将器件的产

品手册或产品详细规范等文件中规定的雪崩击穿电流值设置到测试装置中，验证器件能否承受住雪崩击穿能量

而不损坏。

极限单脉冲雪崩击穿能量limitenergyinavalanche,singlepulse；LimitEAS

单次雪崩状态下器件能够消耗的能量的最大值。

注：对极限单脉冲雪崩击穿能量的测试通常在器件的研发阶段进行，其目的是在雪崩击穿电流待定的条件下，通过

测试得到器件的极限雪崩击穿能量。其基本原理是按照规定的雪崩击穿电流的初始值和步长，不断增加器件承

受的雪崩击穿电流，当电流增加到某一值时器件被损坏，将该临界条件下的雪崩击穿能量作为器件的极限雪崩

击穿能量。

重复雪崩击穿能量energyinavalanche,repetitivepulse；EAR

重复雪崩状态下器件能够消耗的能量。

极限重复雪崩击穿能量limitenergyinavalanche,repetitivepulse；LimitEAR

重复雪崩状态下器件能够消耗的能量的最大值。

4测试原理

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不同测试电路的测试原理

4.1.1测试电路Ⅰ

对SiCMOSFET器件进行UIS测试的测试电路Ⅰ见图1。

标引序号说明：

L——为电感；

I——为对漏极电流进行监测的装置；

D

V——为充电电压；

D

V——为栅极电压；

G

R——为栅极电阻；

G

a)常规封装器件测试电路b)带KelvinSource引脚器件测试电路

图1测试电路Ⅰ

测试电路Ⅰ的测试原理是让器件处于导通状态，让充电电压对电感充电，然后在充电电流达到规定

值后关断器件，让存储在电感中的能量被器件消耗，最后判断器件是否失效，并使用计算雪崩击穿能量。

使用测试电路Ⅰ时，使用公式（1）计算雪崩击穿能量。

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EAS×I2×L×AVDSS·····························································(1)