TCASAS 040 SiC MOSFET功率模块短路可靠性测试方法.pdf

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS040—202X（征求意见稿）

SiCMOSFET功率模块短路可靠性测试方法

Short-circuitreliabilitytestmethodforsiliconcarbidemetal-

oxide-semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）power

module

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS040—202X（征求意见稿）

目次

前言III

引言IV

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4测试对象2

5测试原理2

一般要求2

等效单管测试的测试原理2

桥臂直通测试的测试原理2

6测试条件3

测试环境条件3

测试安全条件3

7测试流程4

等效单管测试的测试流程4

桥臂直通测试的测试流程4

8数据记录和处理6

9测试报告7

附录A（资料性）功率模块短路可靠性测试记录表8

参考文献9

I

T/CASAS040—202X（征求意见稿）

SiCMOSFET功率模块短路可靠性测试方法

1范围

本文件规定了SiCMOSFET功率模块短路可靠性测试方法，包括测试原理、测试流程、数据记录和处

理等内容。

本文件适用于SiCMOSFET功率模块在FT（FinalTest）、实验室研发等阶段的短路可靠性测试。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2900.32-1994电工术语电力半导体器件

GB19517—2023国家电气设备安全技术规范

T/CASAS039—202XSiCMOSFET单管功率器件短路可靠性测试方法

3术语和定义

GB/T2900.32-1994界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

SiCMOSFET模块SiCMOSFETmodule

由两个或两个以上SiC材料制作的MOSFET芯片或者和其它元器件按一定电路连接并安装在电路载体

（陶瓷基覆铜板）上，采用绝缘壳体、塑料封装，实现半导体分立器件功能的模块。

半桥模块halfbridgemodule

由两个SiCMOSF