Bi2Se3红外透明导电薄膜的制备和特性研究.pdf

目录

摘要I

ABSTRACTII

目录IV

第1章绪论1

1.1研究背景及意义1

1.2红外透明导电薄膜的研究进展1

1.2.1金属薄膜1

1.2.2金属网栅2

1.2.3碳基薄膜4

1.2.4氧化物导电薄膜6

1.3三维拓扑绝缘体研究现状10

1.3.1拓扑绝缘体的发展10

1.3.2拓扑绝缘体的应用12

1.3.3BiSe的晶体结构和表面态13

23

1.4本文的选题依据和主要研究内容14

第2章BiSe薄膜的制备和表征方法16

23

2.1BiSe薄膜的制备工艺16

23

2.1.1溶胶凝胶法16

2.1.2物理气相沉积17

2.1.2化学气相沉积法17

2.1.3磁控溅射法18

2.1.4分子束外延法19

2.1.5脉冲激光沉积19

2.2BiSe薄膜的表征方法20

23

2.2.1BiSe薄膜的结构表征20

23

2.2.2BiSe薄膜的性能表征24

23

第3章PECVD法制备BiSe薄膜及性能研究30

23

3.1引言30

3.2利用PECVD法制备BiSe薄膜30

23

V

3.2.1实验材料30

3.2.2薄膜的制备31

3.2.3测试和表征32

3.3结果与分析33

3.3.1BiSe薄膜的晶体结构特性33

23

3.3.2BiSe薄膜的形貌特征35

23

3.3.3BiSe薄膜的光学特性36

23

3.3.4BiSe薄膜的电学特性37

23

3.3.5BiSe薄膜的纳米机械特性38

23

3.4BiSe的第一性原理计算40

23

3.4.1计算方法40

3.4.2结果与分析40

3.5本章小结43

第4章富Se环境生长对BiSe薄膜性能的影响44

23

4.1引言44

4.2BiSe薄膜的制备44

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