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精准调控：GaN多孔结构纳米尺寸及其在光学工程的创新应用
一、引言
1.1研究背景与意义
在半导体材料的广阔领域中，氮化镓（GaN）凭借其卓越的性能，逐渐崭露头角，成为推动现代科技进步的关键材料之一。作为一种宽带隙半导体材料，GaN具有许多优异的特性，如宽带隙（约3.4电子伏特）、高电子迁移率、高饱和漂移速度以及良好的热稳定性等。这些特性使得GaN在光电子、功率电子和射频器件等领域展现出巨大的应用潜力。
在光电子领域，GaN基发光二极管（LED）已经广泛应用于照明、显示和通信等领域，彻底改变了传统的照明方式，实现了高效、节能的照明效果。GaN基激光二极管也在光存储、光通信和激
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