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电子技术基础 课件 数电 第18章 半导体存储器与可编程逻辑器件.pptx

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第18章半导体存储器与可编程逻辑器件;18.1?概述;18.1?概述;18.1?概述;18.1?概述;18.1?概述;18.1?概述;18.1?概述;18.1?概述;18.1?概述;18.1?概述;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.2随机存储器;18.3只读存储器;一个8?3PROM的阵列图;PROM的简化阵列图;18.3.2PROM的可编程节点;熔丝结构PROM编程单元;2.EPROM可擦除编程结构;结构和符号;结构和符号;3.E2PROM可擦除编程结构;E2PROM的工作电压为5V,编程所需的高电压可以在芯片内部产生,这样就可以不用编程器,可以逐字的修改存储的数据,一个字节的写入时间为毫秒级,重复编程次数可以达到几万次。;4.FlashROM的存储单元;FLASH的编程单元;18.3.3ROM的应用;PROM的主要缺点:;0000

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1111;画出实现两位二进制数乘法的简化阵列图;18.4低密度可编程逻辑器件;或阵列

(可编程);2.PAL;18.4低密度可编程逻辑器件;18.4低密度可编程逻辑器件;18.4.2GAL(通用阵列逻辑);GAL器件是由一个可编程的“与”阵列驱动一个固定的“或”阵列。但输出部分的结构不同,它的每一个输出引脚上都集成了一个输出逻辑宏单元(OutputLogicMacro-Cell,简称OLMC);8.5复杂的可编程逻辑器件CDPLD;CPLD的内部包含许多逻辑宏单元块,这些块之间还可以利用内部的可编程连线实现相互连接。;18.5复杂可编程逻辑器件CDPLD;18.6现场可编程门阵列FPGA;18.6现场可编程门阵列FPGA;第18章小结;第18章小结;第18章小结;第18章小结;第18章小结;第18章小结;第18章小结;第18章小结;第18章小结;第18章小结;第18章小结

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