第9章二极管与三极管.ppt

一、半导体二极管的V—A特性曲线硅：0.5V锗：0.1V(1)正向特性导通压降反向饱和电流(2)反向特性死区电压击穿电压UBR实验曲线uEiVmAuEiVuA锗硅：0.6~0.7V锗：0.2~0.3V第30页，共56页，星期日，2025年，2月5日二.二极管的主要参数(1)最大整流电流IF——二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。(2)反向击穿电压UBR———二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压UBR。(3)反向电流IR——在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。第31页，共56页，星期日，2025年，2月5日三、二极管电路定性分析（重点）定性分析：判断二极管的工作状态导通截止（2）非理想二极管（恒压降模型），考虑正向管压降：硅0.6~0.7V，锗0.2~0.3V分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。若V阳V阴或UD为正(正向偏置)，二极管导通若V阳V阴或UD为负(反向偏置)，二极管截止（1）二极管是理想的（理想模型），正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。第32页，共56页，星期日，2025年，2月5日例1：开关电路电路如图所示，D为理想二极管,求：AO的电压值。解：先断开D，以O为基准电位，即O点为0V。则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。所以，AO的电压值为-6V。2．模型分析法应用举例第33页，共56页，星期日，2025年，2月5日两个二极管的阴极接在一起取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。V1阳=－6V，V2阳=0V，V1阴=V2阴=－12VUD1=6V，UD2=12V∵UD2UD1∴D2优先导通，D1截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=0V例2：D1承受反向电压为－6V流过D2的电流为求：UAB在这里，D2起钳位作用，D1起隔离作用。BD16V12V3k?AD2UAB+–第34页，共56页，星期日，2025年，2月5日ui8V，二极管导通，可看作短路uo=8Vui8V，二极管截止，可看作开路uo=ui已知：二极管是理想的，试画出uo波形。8V例3：限幅电路二极管的用途：整流、检波、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿等。ui18V参考点二极管阴极电位为8VD8VRuoui++––第35页，共56页，星期日，2025年，2月5日例题4．整流电路模型分析法定性分析二极管的工作情况。（1）理想化模型，（2）恒压降模型。（a）电路图（b）vs和vo的波形第36页，共56页，星期日，2025年，2月5日例题5:限幅电路电路如图，R=1kΩ，VREF=3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI=6sin?tV时，绘出相应的输出电压vO的波形。第37页，共56页，星期日，2025年，2月5日当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数稳定电压9.4、稳压二极管稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管正向同二极管反偏电压≥UZ反向击穿＋UZ－限流电阻第38页，共56页，星期日，2025年，2月5日稳压二极管的主要参数(1)稳定电压UZ——(2)动态电阻rZ——rZ=?U/?I在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。(3)最小稳定工作电流——IZmin保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。(5)最大允许耗散功率——PZMPZM=UZ