微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年完整版724533862.pdf

微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库

2023年

1.线性缓变结的耗尽层宽度正比于【图片】。

参考答案:

正确

2.反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。

参考答案:

正确

3.减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度，不但能减少存储电荷，还能降低反向抽

取电流。

参考答案:

错误

4.在异质结双极型晶体管中，通常用（）。

参考答案:

宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区

5.()的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压，记为BVCBO。

参考答案:

发射极开路时，使

6.【图片】对高频小信号注入效率的影响的物理意义是，【图片】的存在意味

着【图片】必须先付出对势垒区充放电的多子电流【图片】后，才能建立起

一定的【图片】。这一过程需要的时间是（）。

参考答案:

发射结势垒电容充放电时间常数

7.某长方形扩散区的方块电阻为200Ω，长度和宽度分别为100μm和20μm，

则其长度方向的电阻为（）。

参考答案:

1KW

8.要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。

参考答案:

减小基区掺杂浓度_减小基区宽度

9.防止基区穿通的措施是提高（）。

参考答案:

增大基区宽度_增大基区掺杂浓度

10.从发射结注入基区的少子，由于渡越基区需要时间tb，将对输运过程产生

三方面的影响()。

参考答案:

时间延迟使相位滞后_渡越时间的分散使减小_复合损失使小于1

11.晶体管的共发射极输出特性是指以输入端电流【图片】作参量，输出端电流

【图片】与输出端电压【图片】之间的关系。

参考答案:

正确

12.电流放大系数与频率成反比，频率每提高一倍，电流放大系数下降一半，功

率增益降为四分之一。

参考答案:

正确

13.特征频率【图片】代表的是共发射极接法的晶体管有电流放大能力的频率极

限，而最高振荡频率【图片】则代表晶体管有功率放大能力的频率极限。

参考答案:

正确

14.模拟电路中的晶体管主要工作在（）区。

参考答案:

放大

15.共发射极电路中，基极电流IB是输入电流，集电极电流IC是输出电流。发

射结正偏、集电结零偏时的IC与IB之比称为（），记为β

参考答案:

共发射极直流短路电流放大系数

16.在缓变基区晶体管中，由于基区杂质分布不均匀，基区内会产生内建电场。

少子在基区以（）运动为主，因此这种晶体管又称为漂移晶体管。

参考答案:

漂移

17.晶体管在小电流时α与β下降的原因，是小电流时（）占总发射极电流的

比例增大，从而使注入效率γ降低。

参考答案:

发射结势垒区复合电流

18.造成发射区重掺杂效应的原因有（）。

参考答案:

发射区禁带变窄和俄歇复合增强##%_YZPRLFH_%##发射区禁带宽度变窄

和俄歇复合增强##%_YZPRLFH_%##发射区禁宽变窄和俄歇复合增强

19.为了避免陷落效应，目前微波晶体管的发射区多采用（）扩散来代替磷扩

散。

参考答案:

砷##%_YZPRLFH_%##As

20.【图片】代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独一个

（）构成的PN结二极管的反向饱和电流。

参考答案:

发射结

21.当MOSFET器件按照恒场法则等比例缩小时，器件的最高工作频率将（）。

参考答案:

提高##%_YZPRLFH_%##增大##%_YZPRLFH_%##变大

22.在实测的晶体管输出特性曲线中，【图片】在放大区随【图片】的增加而略

有增加，这是由（）造成的。

参考答案:

基区宽度调变效应##%_YZPRLFH_%##