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硅材料中空穴迁移率的反常特性、起源及优化设计研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代半导体技术领域，硅材料占据着无可替代的核心地位。硅是地球上储量极为丰富的元素之一，其在地壳中的含量约为27.7%，这使得获取硅材料相对容易且成本较低，为大规模生产半导体器件提供了坚实的物质基础。经过多年的发展，基于硅的半导体制造工艺已经高度成熟，从晶圆的生长、切割到芯片的光刻、蚀刻等环节，都有一套精确且高效的工艺流程，能够生产出性能优异、一致性好的硅基半导体产品。凭借良好的电学性能，适中的禁带宽度，硅既能在常温下保持较好的导电性，又能在适当的条件下实现有效的控制和调节，被广泛应用于集成电路、太阳能电池
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