微电子概论（第3版）课件6-6-3模拟集成电路设计实例-版图设计 .pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

6.6.3版图设计6.6模拟集成电路设计实例目录6.6.2电路仿真6.6.1电路图设计与参数计算

1.划分隔离区集电极同电位npn管放于同一隔离区（VT18、VT19）基极同电位pnp管放于同一隔离区（VT3、VT4）npn管集电极与pnp管基极电位相同，放于同一隔离区（VT1、VT2与VT8、VT9）电阻可单独或与晶体管放于同一隔离区内，与晶体管同区需要npn管集电极电位（或pnp管的基极电位）高于电阻两个端点的电位（如VT14、R6、R7）电容面积较大，单独放在一隔离区内

2.元件版图设计晶体管版图规划：24只晶体管+10个电阻+1个电容24只晶体管：15只npn（14小+1大），9只pnp（横向pnp7只+纵向pnp2只）14只小npn管：工作电流均在1mA以下，工作于线性区，可按照工艺约束计算发射区面积1只大npn管VT14：输出电流要求5~10mA，按照电流需求计算发射区面积

2.元件版图设计6只单集电极横向pnp管：主要考虑ec穿通与电流增益的要求纵向pnp晶体管VT20：与npn管VT14构成互补输出级，考虑负载驱动能力，该晶体管采用三发射极条结构，以增加有效发射区周长1只双集电极横向pnp管VT13：考虑集电极分区

2.元件版图设计双射极纵向pnp管VT23：工作电流不大，约为几百μA。考虑其单位发射区周长电流容量小，设计时其发射区面积比小尺寸NPN管的大，发射区外围用n＋环隔离。

2.元件版图设计电阻版图规划10个电阻：阻值大精度要求不高，采用沟道电阻15kΩ/□，如R2（50kΩ）、R9（50kΩ）和R10（40kΩ）；阻值大精度要求高R5（39kΩ）、阻值小R1、R3、R4、R6、R7采用硼扩散电阻考虑面积，电阻条宽选接近规则最小值小电阻，考虑精度，电阻条宽可以选大一些电容版图规划电容Cp：容值30pF，采用MOS电容，介质选栅氧，若栅氧厚度tox为200nm，则其面积为：

3.排版与布线整体版图规划依据外围管脚布局、连接关系、信号性能、驱动要求等需求推敲布局，考虑散热、面积等因素，优先确定对指标影响大、面积大、精度要求高、寄生参数敏感的部分电路布局，其余电路可以依据类型、隔离、面积进行优化布局

3.排版与布线同类型、对称：VT1、VT2，VT3、VT4，VT5、VT6，VT8、VT9空间位置许可，电阻条宽可适当增加面积大：电容Cp电流大、互补：VT14、VT20