集成电路制造工艺--集成电路测试-FT.pptx

集成电路测试与分析

目录/CONTENTS010203概述CP测试FT测试

集成电路成品测试（FT)03PartOne

集成电路测试的基本原理测试的基本任务是生成测试输入，而测试系统的基本任务则是将测试输人应用于被测器件，并分析其输出的正确性。测试过程中，测试系统首先生成输入定时波形信号施加到被测器件的原始输入管脚，第二步是从被测器件的原始输出管脚采样输出回应，最后经过分析处理得到测试结果。

模拟电路的测试两类测试：直流特性测试：主要包括端子电压特性、端子电流特性等交流特性测试：这些交流特性和该电路完成的特定功能密切有关，比如一块音频功放电路，其增益指标、输出功率、失真指标等都是很重要的参数

模拟IC自动测试系统框图被测电路DUT（DeviceUnderTest）

PMU可以实现两种功能：FVMI（加电压测电流）功能和FIMV（加电流测电压）功能。/article/332880.html

数字电路的测试数字集成电路最主要的是测试其功能、时序关系和逻辑关系等

典型的数字集成电路测试顺序1.接触测试：在DUT的每一个管脚上都施加一电流，随后测量其相应电压，如果所得电压值超出了特定的电压范围，则可认为管脚与测试仪的接触是断开的，即开路。2.功能测试：只有逻辑功能正确的电路，才有必要进行随后的测试。3.直流参数测试：在DUT管脚进行电压或电流测试。4.交流参数测试：大多数自动数字测试系统都有可以选择的数字测量分辨率，通过逐次逼近或线性递归的测量方法即可准确测出传输延迟及上升沿、下降沿时间等。

失效分析(FA)：对失效器件进行进行各种测试和物理、化学、金相试验，确定器件失效的形式（失效模式），分析造成器件失效的物理和化学过程（失效机理），寻找器件失效原因，制定纠正和改进措施。可靠性分析(RA)：对半导体器件可靠性测量与测试，评估器件寿命、特性退化规律等，用于指导生产过程中提高元器件可靠性。材料分析(MA)：对材料的组分，形貌，晶体结构，杂质、位错等缺陷，界面缺陷等研究。主要分析技术——FA、MA、RA

主要技术指标：主要附件：探测器:ET-SEdetector；AsB-detector；In-lensSE-detector；Multi-modeSTEMEDS/EBSD能谱探头:X-MaxN80主要用途：表面形貌分析能谱分析材料组织结构分析电子束系统分辨率:1.0nmat15kV1.9nmat1kV电子束加速电压:0.02kV-30kV电子束流:4pA-20nA放大倍数:10-1.000.000x场发射扫描电子显微镜FieldEmissionScanningElectronMicroscope(FE-SEM)主要分析设备及耗电量

1313主要技术指标：电子束系统分辨率:1.1nm(20kV)/1.5nm(10kV)/2.5nm(1kV)离子束系统分辨率:5nm(30kV,1pA)电子束加速电压:0.1-30kV离子束加速电压:0.5-30kV电子束流:4pA-100nA离子束流:1pA-50nA主要附件：Everhart-Thornley二次电子探测器组合式二次电子二次离子(SESI)探测器多路GIS气体注入系统主要用途：焊点可靠性失效横截面故障分析完整的铜制程横截面结构观察热点测试失效横截面结构分析材料横截面结构观察TSV转接板LED芯片BGA焊球CISLensWirebondNCAPConfidentialProprietary聚焦离子束场发射扫描电子显微镜DualBeamFocusedIonBeam主要设备——FIB

主要技术指标：设备特点：配备100LPI，300LPI两种光栅红外加热，可模拟回流曲线下的变形情况与温度曲线对应的实时变形量测量支持多样品同时测试最大样品尺寸400×400mm2标准误差小于1μm共面性低于1μm最大加热温度为300℃最高每秒加热1℃热变形外貌检测仪ShadowMoiré

主要技术指标：PEMInGaAs探测器TIVA1340nm激光源，配置TIVALaserPulsingTechnique；12inch测试载样台；MacroLens0.8x/2.5x/5x/10x/20x/50xforPEMandTIVA；设备特点：具备光发射显微镜PEM(PhotonEmissionMicroscopy)和激光激发-热感生电压变化TIVA（ThermalInducedVoltageAlteration）技术。广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流，包括闸极氧化层缺陷(Gateoxidedefec