曝光掩膜的制造方法 .pdf

曝光掩膜的制造方法--第1页

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（10）申请公布号

CN105242491A

（43）申请公布日2016.01.13

（21）申请号CN201510390436.0

（22）申请日2015.07.06

（71）申请人株式会社迪思科

地址日本东京都

（72）发明人松崎荣

（74）专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司

代理人李辉

（51）Int.CI

G03F1/68;

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

曝光掩膜的制造方法

（57）摘要

提供曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的

制造方法与现有的方法相比，能够以简单的工序

廉价地制造曝光掩模。该曝光掩模的制造方法是

晶片加工用的曝光掩模的制造方法，该曝光掩模

的制造方法具备如下工序：准备工序，准备遮光

板(25)，其在透光并具有要加工的晶片(11)以上

的大小的板状部件(21)的正面上覆盖有遮挡光的

遮光膜(23)；槽形成工序，在与晶片的间隔道

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(17)相对应的遮光板的正面侧的区域形成去除遮

光膜并且深度未达到遮光板的背面的槽(27)；以

及树脂埋设工序，在槽中埋设透明的树脂(31)而

填埋在槽形成工序中形成于槽的底部(27a)的凹

凸。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2016-01-13公开公开

2016-01-13公开公开

2016-01-13公开公开

2017-07-14实质审查的生效实质审查的生效

2017-07-14实质审查的生效实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤发明专利申请公布后的视为撤

2020-08-11

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说明书

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