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电子科技大学半导体物理期末考试试卷a试题答案.docx

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电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试

对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与〔D〕

平衡载流子浓度成正比 B.非平衡载流子浓度成正比

C.平衡载流子浓度成反比 D.非平衡载流子浓度成反比

有3个硅样品，其掺杂状况分别是：

甲．含铝1×10-15cm-3 乙.含硼和磷各1×10-17cm-3 丙.含镓1×10-17cm-3

室温下，这些样品的电阻率由高到低的挨次是〔C〕

甲乙丙 B.甲丙乙 C.乙甲丙 D.丙甲乙

题2中样品的电子迁移率由高到低的挨次是〔B〕

题2中费米能级由高到低的挨次是〔C〕

欧姆接触是指〔

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