超低缺陷大尺寸导电型碳化硅衬底制备关键技术研发项目规划设计方案.pptx

超低缺陷大尺寸导电型碳化硅衬底制备关键技术研发项目规划设计方案;;01;碳化硅材料特性;研发超低缺陷大尺寸导电型碳化硅衬底制备关键技术，提高衬底质量和性能。;研究背景与意义;02;包括原料合成、晶体生长、衬底加工等环节，是半导体材料制备的重要组成部分。;差距与原因;预计碳化硅衬底制备技术将不断创新，包括晶体生长工艺、衬底加工技术等，以提高产品质量和性能。;技术挑战;03;原料选择与处理方法;粉末合成;研制适应大尺寸导电型碳化硅衬底制备的关键设备，如高效烧结炉、精密加工设备等。;;04;负责项目的整体规划、资源调配和进度管理，确保项目按期完成。;选择符合项目需求的场地，考虑交通便利性、安全性和可扩展性。;;研发经费;05;总体目标设定;第一阶段;制定详细的项目进度计划，包括各阶段的时间节点、任务分配、资源调配等。;生产风险;06;;;目标客户定位;;07;项目目标完成情况;项目在碳化硅衬底制备技术方面取得了多项创新成果，提升了产品的性能和质量。;将继续优化碳化硅衬底的制备工艺，提高生产效率和产品良率。;鼓励企业加强技术创新和研发投入，提升自主创新能力。;THANKS