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表面氢化的CrMn二元金属氧化物耦合GaN纳米线光催化制备乙烯.docx

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表面氢化的CrMn二元金属氧化物耦合GaN纳米线光催化制备乙烯

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表面氢化的CrMn二元金属氧化物耦合GaN纳米线光催化制备乙烯(1)

一、内容描述...............................................4

1.1研究背景与意义.........................................5

1.2研究目的与内容.........................................6

1.3研究方法与技术路线.....................................7

二、理论基础与文献综述.....................................8

2.1光催化材料概述.........................................9

2.2金属氧化物半导体材料..................................11

2.3氢化物半导体材料......................................13

2.4GaN纳米线光催化剂研究进展.............................14

2.5乙烯的光催化降解与转化................................15

三、实验材料与方法........................................17

3.1实验原料与设备........................................18

3.2实验方案设计..........................................19

3.3实验过程与参数设置....................................21

3.4数据采集与处理方法....................................23

四、表征与测试............................................24

4.1结构表征方法..........................................24

4.2形貌表征技术..........................................25

4.3能带结构表征..........................................27

4.4光催化性能评价方法....................................28

五、结果与讨论............................................28

5.1CrMn二元金属氧化物的合成与表征........................29

5.2GaN纳米线的制备与表征.................................30

5.3表面氢化对CrMn二元金属氧化物性能的影响................31

5.4耦合CrMn二元金属氧化物与GaN纳米线的协同作用...........32

5.5光催化降解乙烯的效果分析..............................33

六、结论与展望............................................35

6.1研究成果总结..........................................36

6.2存在问题与不足........................................37

6.3未来研究方向与应用前景展望............................38

表面氢化的CrMn二元金属氧化物耦合GaN纳米线光催化制备乙烯(2)

一、内容概括..............................................39

1.1研究背景与意义........................................40

1.2研究目的与内容........................................41

1.3研究方法与技术路线....................................42

二、理论基础与文献综述....................................42

2.1光催化材料概述........................................44

2.2金属氧化物半导体材料..

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