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基于InGaN量子势垒调控的GaN基激光器性能优化与应用研究
一、引言
1.1研究背景与意义
随着科技的飞速发展，半导体激光器作为光电子领域的核心器件，其性能的提升对于众多应用领域具有至关重要的推动作用。氮化镓（GaN）基材料以其独特的物理性质，如宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率和良好的热稳定性等，成为了制备高性能激光器的理想选择，在光通信、光存储、激光显示、医疗、工业加工以及国防等众多领域展现出了巨大的应用潜力。
在光通信领域，随着数据流量的爆炸式增长，对高速、大容量的光传输需求日益迫切。GaN基激光器凭借其短波长、高调制速率和高输出功率的特性，能够实现更高的传输速率和更大的传输容量，为
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