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资料：半导体物理试卷-B卷答案.docx

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电子科技大学二零九至二零一零学年第一学期期末考试

得分一、填空题: 〔共16分，每空1分〕

得分

1. 简并半导体一般是重掺杂半导体，这时电离杂质对载流子的散射作用不行无视。

处在饱和电离区的N型Si半导体在温度上升后，电子迁移率会下降/减小，电阻率会上升/增大。

电子陷阱存在于P/空穴型半导体中。

电子陷阱存在于

P/空穴型半导体中。

随温度的增加，P型半导体的霍尔系数的符号

由正变为负

。

在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有杂质补偿的作用，在制造各种半导体器件时，往往利用这种作用转变半导体的

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