《半导体器件物理》试卷(三).pdf

2008 A 34 1PN 2 3MOS IV 4 18 1 2 3 4 5 VCE IC VCE Early a γβ β 2L2 h ≡ T ≈ T ≈ n FE 1−a 1−γβ 1−β x 2 T T B xB-2VCE x x h I V B B FE C CE MOSFET ( V DS )MOS 1 16 NPN qV E qVC InE InC InE InC IpE Irg IC0 IE=InE IpE Irg I =I +I (I I )I B pE rg nE nC C0 I =I + I C nC C0 dQM C MOS C ≡ V V +ψ G 0 S dV G 2 1 dVG dV0 dψS dQM dQM dQS 1 1 1 + ≡ ≡