第一性原理法分析Ce对TiAl_(3)_α-Al异质形核界面的影响.pdf
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第36卷第4期宁德师范学院学报(自然科学版)Vol.36No.4
2024年12月JournalofNingdeNormalUniversity（NaturalScience)Dec.2024
第一性原理法分析Ce对TiAl/α-Al异质形核界面的影响3
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Al、Zn、Cd对MG-Li合金界面结构及性能影响的第一性原理研究的开题报告.docx
Al、Zn、Cd对MG-Li合金界面结构及性能影响的第一性原理研究的开题报告
研究背景
MG-Li合金具有密度低、强度高等优良性能，在航空、航天及汽车等领域有着广泛的应用前景。然而，当碱金属Li溶于MG基体中时，易出现与其他杂质元素的反应，从而引起合金的界面结构和性能的变化。其中Al、Zn、Cd等元素常常作为合金中的杂质元素存在，影响了MG-Li合金的性能表现。因此，了解这些杂质元素对于MG-Li合金的影响，对其更好的设计和应用具有重要意义。
研究目的
本文旨在通过第一性原理研究方法，探究杂质元素Al、Zn、Cd对MG-Li合金界面结构和性能的影响机理。具体目的包括：
1.分析Al、Zn、Cd
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《Al晶界的第一性原理拉伸试验.》.pdf
55 6 2006 6 Vol. 55, No. 6, June, 2006
10003290200655( 06)290107 ACTA PHYSICA SINICA 2006 Chin. Phys. Soc.
Al *
张 颖 吕广宏 邓胜华 王天民
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基于第一性原理探究Ⅲ族氮化物异质结界面二维空穴气特性.docx
基于第一性原理探究Ⅲ族氮化物异质结界面二维空穴气特性
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代半导体领域，Ⅲ族氮化物凭借其独特的物理化学性质，占据着举足轻重的地位。Ⅲ族氮化物主要包括氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）和氮化铟（InN）及其合金，如AlGaN、InGaN、AlGaInN等。这类材料具有直接带隙，且带隙范围十分广泛，从InN的约0.7eV、GaN的3.4eV到AlN的6.2eV，对应的直接带隙波长覆盖了从红外到紫外的宽波长范围。这种特性使得Ⅲ族氮化物在光电子器件领域表现卓越，成为制造发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等器件的核心材料，在大屏
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砷化镓基异质结结构的第一性原理研究.docx
上海建桥学院本科毕业设计（论文）
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摘要
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TheFormatCriterionofMaster’sDegreePaperofDUT
Abstract
目录
TOC\o1-3\h\z\u1绪论 1
1.1研究的背景及意义 2
1.2砷化镓的材料特性 2
1.3研究的进展与现状 2
1.4选题的根据与研究方案 2
1.4.1选题依据 3
1.4.2研究的内容与结构安排 3
2研究的理论及方法 3
2.1低维体系的
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ce掺杂aln磁性的第一性原理研究.docx
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Ce掺杂AlN磁性的第一性原理研究摘要
稀磁半导体同时具备磁性和半导体的性质，是当今自旋电子学研究的重点。纤锌矿结构的AlN是一种宽带隙半导体，且具有许多优良性能，比如耐热，抗熔融，介电性与光传输性好等。因此，本论文选择纤锌矿结构的AlN为研究对象，选用稀土原子Ce作为掺杂剂，运用第一性原理计算方法，利用VASP软件分析计算了Ce掺杂AlN体系的电子结构以及其磁学性质等内容。计算的结果表明，在富氮的条件下，Ce掺杂AlN的形成能是更低的，Ce对Al的替代掺杂更容易形成。自旋密度分布图以及态密度图表明Ce掺杂AlN体系的磁矩主要来源于掺杂的Ce原子的f轨道。我们通过
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Al-N共掺杂3C-SiC介电性质的第一性原理计算.pdf
物 理学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．5(2014) 053102
Al—N共掺杂3C．SiC介电性质的第一性原理计算冰
周鹏力 )2)3) 郑树凯1)2)t 田言3) 张朔铭 ) 史茹倩 )2)
何静芳 )2) 闫小兵 )
1)(河北大学电子信息工程学院，保定 071002)
2)(河北大学计算材料与器件模拟研究中心，保定 071002)
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θ-Al2O3NiAl界面结构中Hf晶格扩散的第一性原理计算.docx
θ-Al2O3/NiAl界面结构中Hf晶格扩散的第一性原理计算
目录
TOC\o1-3\h\u摘要 1
1绪论 2
1.1课题背景 2
1.2NiAl合金氧化的研究现状 3
1.2.1NiAl合金的高温氧化行为 3
1.2.2提高NiAl合金抗高温氧化性能的研究 3
1.2.3活性元素的作用机理 6
1.3选题依据和研究内容 8
2.理论和计算方法 10
2.1近似处理 10
2.1.1波恩-奥本海默（BO）近似 10
2.1.2单电子近似 10
2.2密度泛函
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三元混晶AlχGa1χ-As的电子能带结构和光学性质的第一性原理研究的开题报告.docx
三元混晶AlχGa1χ-As的电子能带结构和光学性质的第一性原理研究的开题报告
一、研究背景和意义
三元混晶III-V族化合物由于具有优异的光电性能，广泛应用于半导体器件、电子/光电器件等领域。其中，AlGaAs作为III–V族半导体材料的重要代表之一，其在半导体材料中的应用非常广泛，如用于太阳能电池、晶体管、激光器等器件中。而AlGaAs混晶材料则是由AlAs和GaAs两种化合物按一定比例制备而成的，在特定比例下，可以调节Al和Ga的比例来改变AlGaAs的带隙和光谱响应性能，使其具有更多应用前景。同时，由于AlGaAs混晶材料存在的硬带隙特征以及由此导致的光谱性质复杂性，其理论计算和实验表
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Al-Sc-TM随机合金的第一性原理研究的中期报告
尊敬的评委老师：
我是XXX，我在此提交我们小组关于Al-Sc-TM随机合金的第一性原理研究的中期报告。以下是我们的研究进展和结论：
研究背景和目的：
随机合金是一种具有无规则、无序、多元素、多晶相等特征的复杂材料，广泛应用于各种领域。在材料工程中，设计一种具有优异力学性能的材料对于提高材料的实际应用效果至关重要。而Al-Sc-TM随机合金由于其惊人的强度和轻量化的特性，成为一种重要的研究对象。我们的研究旨在深入探讨Al-Sc-TM随机合金的力学性能和结构。
研究方法和流程：
我们使用第一性原理计算(基于密度泛函理论，DFT)对Al-Sc-T
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Y-Al-O氧化物陶瓷中点缺陷行为的第一性原理研究的中期报告.docx
Y-Al-O氧化物陶瓷中点缺陷行为的第一性原理研究的中期报告
这篇中期报告是关于针对Y-Al-O氧化物陶瓷中点缺陷行为的第一性原理研究的。我们研究了该材料中的点缺陷形成和迁移机理。我们采用了密度泛函理论（DFT）和基于微动理论的动力学模拟方法来进行研究。
首先，我们考虑了模拟的体系。我们使用了超单胞模型来研究Y-Al-O氧化物陶瓷中的点缺陷行为。我们采用了超晶胞中的6 x 6 x 6个晶格点来描述体系，并且考虑了不同的点缺陷的分布情况。我们研究的点缺陷包括空位、氧空位和金属原子的替代。
接着，我们进行了点缺陷形成的研究。我们计算了各种类型的点缺陷形成的能垒，并且研究了它们的形成能随着化学计量比
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基于第一性原理探究石墨烯二硫化钼异质结光电改性机制.docx
基于第一性原理探究石墨烯二硫化钼异质结光电改性机制
一、引言
1.1研究背景与意义
随着材料科学的迅猛发展，二维材料凭借其独特的原子结构和优异的物理性质，在过去几十年间成为科学界的研究焦点。自2004年石墨烯被成功剥离以来，二维材料的研究取得了突飞猛进的进展。石墨烯是由碳原子组成的单层二维材料，具备极高的载流子迁移率、出色的机械性能以及良好的热导率，这些优异特性使其在电子学、能源、传感器等众多领域展现出巨大的应用潜力。受石墨烯成功制备的启发，科学家们广泛探索其他新型二维材料，如过渡金属二硫化物（TMDs）、六方氮化硼（h-BN）、黑磷等，极大地拓展了二维材料的种类和应用范围。
二硫化
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基于BiOX(X=Cl,Br,I)的异质结光催化性能第一性原理研究.pdf
摘要
摘要
21世纪，环境污染和能源短缺成为严峻的问题。为解决这两大难题，半导体
光催化技术快速发展，逐步形成两个主要的应用方向：降解有机污染物和光解水制
氢。新型BiOX(X=Cl,Br,I)半导体光催化剂因其特殊的层状晶体结构在光催化应
用领域引起了广泛关注。然而，BiOX(X=Cl,Br,I)存在光生电子-空穴对复合率高
的缺点，严重限制了其在光催化领域的应用。此外，BiOCl和BiOBr的带隙较
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应变和电场对碳氮化物范德华异质结电子结构调控的第一性原理研究.pdf
摘要
摘要
近年来，二维材料由于其独特的光电特性和化学特性，已经成为材料科学中
一个新颖而有前途的领域。这些二维材料被广泛应用于各种纳米电子器件中。而
为了克服单一材料的限制，可以采用组合不同的二维材料构建异质结构或者通过
掺杂、吸附原子、引入周期性缺陷、外加磁场、电场及力场等来调控二维体系的
物理特性。构建光电功能器件时需考虑两个关键因素：一是材料本身的光电性能，
二是这些性能是否可通过外场调控。材料的光电性质在很大程度上由其电子结构
决定。因此，本研究的主要目标是探索新型异质结的能带结构，并利用不同二维
半导体材料的优势构建各种新颖的异质结使其能广泛应用于各种光电器件中。本
文利用了基于密
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基于第一性原理的二维铁电材料及其异质结特性与应用潜力研究.docx
基于第一性原理的二维铁电材料及其异质结特性与应用潜力研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代电子器件的不断演进中，铁电材料因其独特的性质占据着至关重要的地位。铁电材料具有自发极化的特性，并且其极化方向能够在外加电场的作用下发生反转，这种特性使其在众多领域展现出广泛的应用前景。在存储器领域，铁电材料被用于制造铁电随机存取存储器（FeRAM），它结合了随机存取存储器的快速读写特性以及非易失性存储的优势，能够在断电后依然保留数据，大大提高了数据存储的可靠性和便捷性。在传感器领域，基于铁电材料的压电效应制作的传感器，能够将机械能转换为电能，对压力、振动等物理量具有极高的灵敏度，广泛应用于压力