半导体物理答案第四章.doc

任课老师：吴海霞 作业章次：第四章 完成日期：2010年月日 2.试计算本征Si在室温的电导率，设电子和空穴的迁移率分别为1350和500。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率，比本征Si的电导率增加多少倍？ 4.0.1kg的Ge单晶，掺有kg的Sb，设杂质全部电离试求该材料的电阻率 （设）。 6.电子迁移率为0.1，Si的电导有效质量，加以强度为的电场，试求平均自由时间和平均自由程。 8.截面积为0.001的圆柱形Si样品，长1mm，接于10V电源上，室温下希望通过0.1A的电流，问： 1、样品的电阻是多少？ 2、样品的电导率应是多少？ 3、应该掺入浓度为多少的施主？ 11.截面积为 ，掺有浓度为的p型Si样品，样品内有强度为的电场，求： 1、室温时样品的电导率及流过样品的电流密度和电流强度； 2、400K时样品的电导率及流过样品的电流密度和电流强度。 13．掺有硼原子和磷原子的Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子的浓度及样品的电导率。