一种用于单晶硅和多晶硅的纳米类球形氧化铈抛光液和应用.pdf

单晶硅与多晶硅.ppt 近年来，在中央政府大力推广新能源政策的支持下，各地方省份也是积极跟进，培养优势产业。江西省抓住机遇，凭借粉石英（硅材料主要原料）储量全国第一的资源优势，出台多方面措施保障光伏产业发展。短短3、4年间，使得一大批光伏产业上下游项目迅速在江西集聚，成为我国重要的光伏产业基地。以新余为主产地、以赛维LDK和盛丰能源为核心企业的产业带具有较强的生产能力，初步建立了从硅料、硅片到太阳能电池组件及配套产品的完整产业链，拥有了对外合作的有效途径和一批关键人才，在国内已具有较明显的规模优势和市场竞争力。江西赛维LDK太阳能高科技有限公司是世界规模最大的太阳能多晶硅片

2017-12-09 约6.99千字 24页立即下载

单晶硅与多晶硅的区别 单晶硅.doc 单晶硅与多晶硅的区别 单晶硅 导读：就爱阅读网友为您分享以下“单晶硅”资讯，希望对您有所帮助，感谢您对92的支持! 硅单晶与宽禁带材料电力电子器件性能对比及其最新发展动态硅单晶 单晶硅是硅的单晶体,具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，主要用于制作半导体元件。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。纯度要求高，用于制

2017-01-10 约1.55万字 40页立即下载

《多晶硅加工成单晶硅棒》.doc 多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种：CZ（Czochralski）法FZ（Float-Zone Technique）法目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。目前国内主要采用CZ法CZ法主要设备：CZ生长炉CZ法生长炉的组成元件可分成四部分（1）炉体：包括石英坩埚，

2018-04-05 约3.07千字 8页立即下载

单晶硅和多晶硅的区别..doc 单晶硅和多晶硅的区别一概述当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。 多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。 单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。 多晶硅的生产工艺主要由高纯石英（经高温焦碳还原）→工业硅（酸洗）→硅粉（加HCL）→SiHCL3（经过粗馏精馏）

2017-01-03 约6.26千字 5页立即下载

一种多晶硅切方机单晶硅加工工件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213137349 U (45)授权公告日 2021.05.07 (21)申请号 202021170925.8 (22)申请日 2020.06.20 (73)专利权人龙双权地址 45

2023-03-02 约6.23千字 7页立即下载

多晶硅和单晶硅的基础知识.doc 多晶硅和单晶硅的基础知识 ? 单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。 多晶硅的生产工艺主要

2018-10-26 约1.92万字 25页立即下载

单晶硅与多晶硅电池性能的比较.doc 本科毕业论文（设计） 单晶硅与多晶硅太阳能电池的比较学院：理学院专业：光信息科学与技术姓名：张景洋学号：070701110074 指导老师：黄伟其 2011年6月日目录摘要 ......................................4 Abstract ..................................5 第零章太阳能电池的发展现状及前景展 ....................6 0.1太阳能电池的发展史 ........................

2018-05-22 约9.07千字 24页立即下载

多晶硅与单晶硅的扩散比较 .doc 多晶硅与单晶硅的扩散比较 1954年，美国贝尔实验室研制成功第一块单晶硅太阳电池，开创了人类太阳能的新纪元。1998年世界范围内多晶硅太阳电池产量79.9MW，首次超过了单晶硅太阳电池产量(75MW)，而且连续三年持续增长，至2001年多晶硅太阳电池的市场份额已达52%，远远超过单晶硅太阳电池35%的市场份额。目前世界上单晶硅太阳电池的最高转化效率早就达到24.7% ，高于2004年由德国人制造的20.3%的多晶硅太阳电池最高效率。生产线上单晶硅太阳电池的效率高于多晶硅太阳电池效率约1个百分点。多晶硅太阳电池与单晶硅太阳电池相比有如下特点： ? 　　(1)比起单晶硅，多晶硅硅片更适合用纯度相

2015-09-03 约3千字 4页立即下载

用于多晶硅片的抛光装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210232592 U (45)授权公告日 2020.04.03 (21)申请号 20192

2023-08-22 约8.29千字 7页立即下载

多晶硅的制备单晶硅制备单晶硅性能测试单晶硅加工课件.ppt 第一章硅材料及衬底制备本章重点: 1半导体材料的主要特点 2硅的晶体结构 3硅单晶材料的加工制造过程 4直拉法生长单晶过程 5.集成电路的发展对硅片的要求半导体材料目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(siGe) 化合物半导体(GaAsInSb锑化铟) 本征半导体: 不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在9999999% (8~10个9)。掺杂半导体: 半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在S中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍。硅的共价键结构 7 8§ 共价键共用电子对 +4表示除去价电子后的原子 y9 形成共价键后,每个原子的最外层电子

2025-03-07 约小于1千字 47页立即下载

一种多工位单晶硅双面抛光装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213106225 U (45)授权公告日 2021.05.04 (21)申请号 202021749233.9 (22)申请日 2020.08.20 (73)专利权人浙江众晶电子有限公司

2023-02-27 约7.6千字 8页立即下载

一种氧化锆抛光液配置装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210186945 U (45)授权公告日 2020.03.27 (21)申请号 20192

2023-08-22 约5.63千字 6页立即下载

一种氧化锆抛光液的制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114806411 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210245135.9 (22)申请日 2020.12.30 (62)分案原申请数据

2023-05-14 约1.18万字 11页立即下载

一种可改变抛光方向的单晶硅单面抛光装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213106228 U (45)授权公告日 2021.05.04 (21)申请号 202021755154.9 B24B 47/22 (2006.01) (22)申请日 2

2023-03-02 约7.86千字 7页立即下载

一种用于多晶硅矿石的转运装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112810673 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110091675.1 (22)申请日 2021.01.23 (71)申请人张子辉地址 010

2023-06-05 约1.23万字 11页立即下载