西工大与西安交大期末复习考研备考大学物理题库 七、近代物理 22 固体激光及其他.doc

七、近代物理 22 固体激光及其他 一、选择题(共23题) 选择题：如果(1)锗用锑(五价元素)掺杂，(2)硅用铝(三价元素)掺杂，则分别获得的半导体属于下述类型：（ ） A、 (1)，(2)均为n型半导体． B、 (1)为n型半导体，(2)为p型半导体． C、 (1)为p型半导体，(2)为n型半导体． D、 (1)，(2)均为p型半导体． 答案：B 难度：易 选择题：p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构中应处于 （ ） A、 满带中． B、 导带中． C、 禁带中，但接近满带顶． D、 禁带中，但接近导带底． 答案：C 难度：易 选择题： n型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级)，在能带结构中应处于 （ ） A、 满带中． B、 导带中． C、 禁带中，但接近满带顶． D、 禁带中，但接近导带底． 答案：D 难度：易 选择题：激发本征半导体中传导电子的几种方法有(1)热激发，(2)光激发，(3)用三价元素掺杂，(4)用五价元素掺杂．对于纯锗和纯硅这类本征半导体，在上述方法中能激发其传导电子的只有（ ） A、 (1)和(2)． B、 (3)和(4)． C、 (1) (2)和(3)． D、 (1) (2)和(4)． 答案：D 难度：易 选择题：附图是导体、半导体、绝缘体在热力学温度T =0 K时的能带结构图．其中属于绝缘体的能带结构是 （ ） A、 (1)． B、 (2)． C、 (1)，(3)． D、 (3)． 题目图片： 答案：A 难度：易 选择题：与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（ ） A、 导带也是空带． B、 满带与导带重合． C、 满带中总是有空穴，导带中总是有电子． D、 禁带宽度较窄． 答案：D 难度：易 选择题：下述说法中，正确的是（ ） A、 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好． B、 n型半导体的导电性能优于p型半导体，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电． C、 n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能． D、 p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动． ［ ］ 答案：C 难度：中 选择题：硫化镉(CdS)晶体的禁带宽度为2.42 eV，要使这种晶体产生本征光电导，入射到晶体上的光的波长不能大于 （ ） A、 650 nm． (1 nm = 10?9 m B、 628 nm． C、 550 nm． D、 514 nm． (普朗克常量h =6.63×10-34 J·s，基